如何将碳化硅成本将下降30%
国内企业率先在半绝缘衬底方面取得了非常快的进展。而在导电型衬底方面，2021-2022年国内各个衬底厂商的外部的应用需求迅速增长，同时在各项指标上已经得到了下游端客户的验证。
安世半导体推出首款SiC MOSFET，聚焦电动汽车充电桩等...
，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半导体SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后安世半导体将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。
2023-12-05 标签：电动汽车充电桩SiC MOSFET安世半导体 431
国产氮化镓实现新突破，1200V的氮化镓器件有何优势？
众所周知，GaN 功率晶体管的关键问题之一是它们在开关操作期间的动态导通电阻 (RDS(ON)) 增加，这会影响 GaN 功率晶体管和整个系统的可靠性。
2030年，中国仍将是最大的碳化硅市场
在电动汽车领域，纯电动汽车BEV、混合动力HEV、插电式混合动力电动汽车PHEV、400伏/800伏的系统将直接影响碳化硅（SiC）相对采用率，800伏的纯电动汽车动力系统最有可能采用SiC器件。
砷化镓器件在微波领域的应用
GaAs器件在微波领域的应用非常广泛，器件分类齐全，包括徽波分立器件、微波混合集成电路、微波模拟和数字单芯片集成电路等。
国内碳化硅衬底生产企业盘点
在碳化硅产业链中，碳化硅衬底制造是碳化硅产业链技术壁垒最高、价值量最大的环节，是未来碳化硅大规模产业化推进的核心环节。 碳化硅衬底的生产流程包括长晶、切片、研磨和抛光四个环节。
马斯克的搅局 碳化硅陷入“失宠”的舆论漩涡
从去年至今，我国氧化镓半导体制备技术已经屡获突破。从去年的2英寸衬底到6英寸衬底，再到最新的8英寸外延片，我国氧化镓半导体制备技术越来越成熟。
碳化硅芯片国际发展的现状与总体趋势
现有车用控制器普遍采用硅芯片，经过20多年的技术开发已经十分成熟，在许多方面已逼近甚至达到了其材料的本征极限。以碳化硅为代表的第三代半导体材料因具有高热导率、高硬度、耐化学腐蚀、耐高温、对光波透明等优良性质，吸引各国学者的注意力，目前已成为电力电子器件的新宠。
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