据日本富士经济(Fuji Keizai)6月发布功率半导体全球市场的报告预估，汽车，电气设备，信息和通信设备等领域对下一代功率半导体（SiC和GaN）需求的预计将增加。预计2030年（与2018
2019-06-25 11:22:42
7827 在未来十年，受电源、光伏（PV）逆变器以及工业电动机的需求驱动，新兴的碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率半导体市场将以18%的惊人速度稳步增长。据有关报告称，至2022年SiC和GaN功率半导体
2013-04-26 10:10:041532 市场研究机构IHS最新统计报告指出，随着愈来愈多供应商推出产品，2015年碳化矽（SiC）功率半导体平均销售价格已明显下滑，有望刺激市场加速采 用；与此同时，氮化镓（GaN）功率半导体也已开始
2016-03-24 08:26:111305 作为半导体材料“霸主“的Si，其性能似乎已经发展到了一个极限，而此时以SiC和GaN为主的宽禁带半导体经过一段时间的积累也正在变得很普及。
2020-09-11 10:51:1010918 
（SiC）和氮化镓（GaN）占有约90％至98％的市场份额。供应商。WBG半导体虽然还不是成熟的技术，但由于其优于硅的性能优势（包括更高的效率，更高的功率密度，更小的尺寸和更少的冷却），正在跨行业进军。 使用基于SiC或GaN的功率半导体来获
2021-04-06 17:50:533168 
电力电子将在未来几年发展，尤其是对于组件，因为 WBG 半导体技术正变得越来越流行。高工作温度、电压和开关频率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料的能力。从硅到 SiC 和 GaN 组件的过渡标志着功率器件发展和更好地利用电力的重要一步。
2022-07-27 10:48:41761 
功率半导体”多被用于转换器及逆变器等电力转换器进行电力控制。目前，功率半导体材料正迎来材料更新换代，这些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓），二者的物理特性均优于现在使用的Si（硅），作为“节能王牌”受到了电力公司、汽车厂商和电子厂商等的极大期待。
2013-03-07 14:43:024596 全球范围内5G技术的迅猛发展，为氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）功率半导体制造商提供新的增长前景。2020年，GaN和SiC功率半导体市场规模为7亿美元，预计2021年至2027年的复合年增长率
2021-05-21 14:57:182257 电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在我们谈论第三代半导体的时候，常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），而氮化镓功率器件最普遍的则是GaN HEMT（高电子
2023-12-27 09:11:361219 来源 华西证券编辑：智东西内参作者：吴吉森等随着 5G、IoT 物联网时代的来临，以砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表的化合物半导体市场有望快速崛起。其中，Ga...
2021-08-31 06:32:26
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半导体与高频生态系统(氮化镓)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半导体在快速充电市场的应用(氮化镓)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半导体带来AC-DC适配器的革命(氮化镓)
2023-06-19 11:41:21
，其设计的方案满足所有这些挑战；与旧式慢速基于硅的半导体设计相比，成本相近甚至更低。” 应需而生的GaN功率IC Stephen解释说，速率与效率是电源设计中两个至关重要的参数，至今常用的半导体材料
2017-09-25 10:44:14
半导体的关键特性是能带隙，能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙（WBG）可以实现更高功率，更高开关速度的晶体管，WBG器件包括氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半导体。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅（Si）和第二代化合物半导体砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、磷化铟（InP）等之后迅速发展起来的第三代半导体
2019-06-25 07:41:00
基于碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体的新型高效率、超快速功率转换器已经开始在各种创新市场和应用领域攻城略地——这类应用包括太阳能光伏逆变器、能源存储、车辆电气化（如充电器
2019-07-31 06:16:52
新型和未来的 SiC/GaN 功率开关将会给方方面面带来巨大进步，从新一代再生电力的大幅增加到电动汽车市场的迅速增长。其巨大的优势——更高功率密度、更高工作频率、更高电压和更高效率，将有助于实现更紧
2018-10-30 11:48:08
基于SiC/GaN的新一代高密度功率转换器SiC/GaN具有的优势
2021-03-10 08:26:03
功率半导体器件以功率金属氧化物半导体场效应晶体管(功率MOSFET，常简写为功率MOS)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及功率集成电路(power IC，常简写为PIC)为主。
2020-04-07 09:00:54
近年来，全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前,我国已经成为全球最重要的半导体功率器件封测基地。如IDM类（吉林华微电子、华润微电子、杭州士兰微电子、比亚迪股份、株洲中车时代半导体
2021-07-12 07:49:57
交给代工厂来开发和交付。台积电是这一阶段的关键先驱。
半导体的第四个时代——开放式创新平台
仔细观察，我们即将回到原点。随着半导体行业的不断成熟，工艺复杂性和设计复杂性开始呈爆炸式增长。工艺技术
2024-03-13 16:52:37
，简化复杂的线路设计，让设计者可以很容易的应用并发挥其特性。 碳化硅半导体 除了GaN，碳化硅(SiC)是目前发展较成熟的宽能隙(WBG)半导体材料，在新一代电源中扮演了重要的角色，与传统硅半导体相比
2018-10-23 16:12:16
）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、双极硅、绝缘硅（SoI）和蓝宝石硅（SoS）等工艺技术给业界提供了丰富的选择。虽然半导体器件的集成度越来越高，但分立器件同样在用这些工艺制造。随着全球电信网络向
2019-07-05 08:13:58
）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、双极硅、绝缘硅（SoI）和蓝宝石硅（SoS）等工艺技术给业界提供了丰富的选择。虽然半导体器件的集成度越来越高，但分立器件同样在用这些工艺制造。随着全球电信网络向长期
2019-08-20 08:01:20
的不断深入发展，市场需求不断转向。半导体激光器应用领域也不断发生变化。从最初的小功率设备，发展到目前的大功率设备，半导体激光器也从一些轻型加工领域向重型加工领域转移。早在20世纪80年代的时候
2019-05-13 05:50:35
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN、ZnO和SiC的湿法化学蚀刻编号：JFKJ-21-830作者：炬丰科技摘要宽带隙半导体具有许多特性，使其对高功率、高温器件应用具有吸引力。本文综述了三种
2021-10-14 11:48:31
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：氮化镓发展技术编号：JFSJ-21-041作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在单个芯片上集成多个
2021-07-06 09:38:20
在研究雷达探测整流器时，发现硅存在PN结效应，1958年美国通用电气（GE）公司研发出世界上第一个工业用普通晶闸管，标志着电力电子技术的诞生。从此功率半导体器件的研制及应用得到了飞速发展，并快速成长为
2019-02-26 17:04:37
取决于准确和预测SPICE模型的可用性。本演示文稿为包括宽带隙器件在内的功率电子半导体提出了新颖的物理和可扩展SPICE模型。这些模型基于工艺和布局参数，通过SPICE，物理设计和工艺技术之间的直接链接实现
2018-10-29 08:57:06
方形，通过两个晶格常数（图中标记为a 和c）来表征。GaN 晶体结构在半导体领域，GaN 通常是高温下（约为1,100°C）在异质基板（射频应用中为碳化硅[SiC]，电源电子应用中为硅[Si]）上通过
2019-08-01 07:24:28
）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、双极硅、绝缘硅（SoI）和蓝宝石硅（SoS）等工艺技术给业界提供了丰富的选择。虽然半导体器件的集成度越来越高，但分立器件同样在用这些工艺制造。随着全球电信网络向
2019-08-02 08:23:59
元件来适应略微增加的开关频率，但由于无功能量循环而增加传导损耗［2］。因此，开关模式电源一直是向更高效率和高功率密度设计演进的关键驱动力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半导体器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
什么是堆叠式共源共栅？低阻抗功率半导体开关有哪些关键特性？低阻抗功率半导体开关有哪些应用优势？
2021-06-26 06:14:32
升级到半桥GaN功率半导体
2023-06-21 11:47:21
市场趋势和更严格的行业标准推动电子产品向更高能效和更紧凑的方向发展。宽禁带产品有出色的性能优势，有助于高频应用实现高能效、高功率密度。安森美半导体作为顶尖的功率器件半导体供应商，除了提供适合全功率
2019-07-31 08:33:30
半导体元器件是用半导体材料制成的电子元器件，随着电子技术的飞速发展，各种新型半导体元器件层出不穷。半导体元器件是组成各种电子电路的核心元件，学习电子技术必须首先了解半导体元器件的基本结构和工作原理
2008-05-24 10:29:38
常用的功率半导体器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
`20世纪初量子力学的飞速发展，使人类对微观世界有了全新的认识，并且在固体物理学研究领域取得了巨大的成就。今天，小迪将带领大家走进功率器件领域，一窥半导体功率器件的发展历程。`
2015-12-22 18:08:46
时代。当前全球LED产业处于飞速发展阶段，我国半导体照明产业进入自主创新发展时期，今年以来，半导体照明市场呈现高速增长态势。加之国家对节能环保政策推动，技术进步使得价格降低，市场需求连年上升，驱动
2016-03-03 16:44:05
`由电气观察主办的“宽禁带半导体(SiC、GaN)电力电子技术应用交流会”将于7月16日在浙江大学玉泉校区举办。宽禁带半导体电力电子技术的应用、宽禁带半导体电力电子器件的封装、宽禁带电力电子技术
2017-07-11 14:06:55
文/编译杨硕王家农在网络无处不在、IP无处不在和无缝移动连接的总趋势下，国际半导体技术路线图(ITRS)项目组在他们的15年半导体技术发展预测中认为，随着技术和体系结构推进“摩尔定律”和生产力极限
2019-07-24 08:21:23
`根据Yole Developpement指出，氮化镓(GaN)组件即将在功率半导体市场快速发展，从而使专业的半导体企业受惠；另一方面，他们也将会发现逐渐面临来自英飞凌(Infineon)/国际
2015-09-15 17:11:46
`①未来发展导向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半导体”已逐渐步入大众生活，以大功率低损耗为目的二极管和晶体管等分立（分立半导体）元器件备受瞩目。在科技发展道路上的，“小型化”和“节能化
2017-07-22 14:12:43
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
一、化合物半导体应用前景广阔，市场规模持续扩大 化合物半导体是由两种及以上元素构成的半导体材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等，作为第二代和第三代半导体的主要代表，因其在高功率
2019-06-13 04:20:24
用于无线充电应用的高压GaN功率半导体单级6.78 MHz功率放大器设计
2023-06-21 11:45:06
5G将于2020年将迈入商用，加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势，将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计，2018年全球SiC基板产值将达1.8
2019-05-09 06:21:14
。抗氧化性也是所有非氧化物陶瓷中好的。是极其优秀的陶瓷材料。碳化硅（SiC）的市场前景随着信息科技的飞速发展，我国对半导体需求越来越多，我国已经成为全球最大的半导体消费国，半导体消费量占全球消费量的比重
2021-01-12 11:48:45
已经成为全球最大的半导体消费国，半导体消费量占全球消费量的比重超过40%，其中以碳化硅材料（SiC）为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。根据中国
2021-03-25 14:09:37
突破GaN功率半导体的速度限制
2023-06-25 07:17:49
GaN将在高功率、高频率射频市场及5G 基站PA的有力候选技术。未来预估5-10年内GaN 新型材料将快速崛起并占有多半得半导体市场需求。。。以下内容均摘自网络媒体，如果不妥，请联系站内信进行删除
2019-04-13 22:28:48
(SiC)、氮镓(GaN)为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs
2017-06-16 10:37:22
材料的代表，宽禁带材料SiC和GaN相对于前两代半导体材料具有可见光波段的发光特性、高击穿场强、更好的大功率特性、更加抗高温和高辐射等优势，可以应用于光电器件、微波通信器件和电力电子器件。经过多年的发展
2017-02-22 14:59:09
本文介绍了适用于5G毫米波频段等应用的新兴SiC基GaN半导体技术。通过两个例子展示了采用这种GaN工艺设计的MMIC的性能：Ka频段（29.5至36GHz）10W的PA和面向5G应用的24至
2020-12-21 07:09:34
飞速发展的磁传感器
2011-01-09 20:42:11
42 “功率半导体”多被用于转换器及逆变器等电力转换器进行电力控制。目前，功率半导体材料正迎来材料更新换代，这些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓），二者的物理特性均优
2012-07-02 11:18:331387 专注于高速模拟电路技术及创新I/O架构的芯片设计厂商天津瑞发科半导体技术有限公司（Norelsys）今天宣布，正式切入飞速发展的高清安防市场，加入快速壮大的HDcctv联盟。
2014-01-21 16:02:501787 随着以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体材料（即第三代半导体材料）设备、制造工艺与器件物理的迅速发展，SiC和GaN基的电力电子器件逐渐成为功率半导体器件的重要发展方向。
2017-10-17 17:23:191633 1.GaN 功率管的发展微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅（SiC）、氮镓（GaN） 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN材料
2017-11-09 11:54:529 5G将于2020年将迈入商用，加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势，将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计，2018年全球SiC基板产值将达1.8亿美元，而GaN基板产值仅约3百万美元。
2018-03-29 14:56:1235825 
功率半导体市场一直都处于温温不火的状态的，但是随着混合动力及电动汽车、电力和光伏（PV）逆变器的需求，GaN和SiC功率半导体市场规模呈现井喷式增长。
2018-05-23 15:00:059833 本文首先介绍了SiC功率半导体器件技术发展现状及市场前景，其次阐述了SiC功率器件发展中存在的问题，最后介绍了SiC功率半导体器件的突破。
2018-05-28 15:33:5410898 
第三代半导体，又称宽禁带半导体，是以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的半导体材料，具备高压、高温、高频大功率等特性。
2019-06-21 10:29:317739 集微网消息，18日下午，在厦门海沧举行的集微政策峰会上，武汉未来科技城产业招商处副处长吴家伟在发言中表示，武汉东湖高新区正处于大有可为的重要战略机遇期，加快推进一芯两带三区，区域和产业发展布局，协同推进“五链”统筹发展，建设国家存储器基地，争创世界一流半导体产业园。
2019-07-22 15:28:121914 1033.8亿 微波回传设备飞速发展
2019-08-01 17:58:123188 5G将于2020年将迈入商用，加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势，将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。2018年全球SiC基板产值将达1.8亿美元，而GaN基板产值
2020-03-15 09:56:574129 作为半导体材料“霸主“的Si，其性能似乎已经发展到了一个极限，而此时以SiC和GaN为主的宽禁带半导体经过一段时间的积累也正在变得很普及。所以，出现了以Si基器件为主导，SiC和GaN为"游击"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0010156 
半导体产业的发展一共分三个阶段，第一代半导体材料是硅(Si)，第二代半导体材料是以GaAs和SiGe为代表的微波器件，而现在最热门的是第三代半导体材料是宽禁带半导体材料GaN和SiC，相较前两代产品
2022-12-09 10:46:48910 寻找硅替代物的研究始于上个世纪的最后二十年，当时研究人员和大学已经对几种宽带隙材料进行了试验，这些材料显示出替代射频，发光，传感器和功率半导体的现有硅材料技术的巨大潜力。应用程序。在新世纪即将来临
2021-04-01 14:10:192124 
近年来，随着半导体市场的飞速发展，第三代半导体材料也成为人们关注的重点。第三代半导体材料指的是碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石（C）、氮化铝（AlN）等新兴材料。而这
2020-11-09 17:22:052755 11月15日消息 根据 Omdia 的《2020 年 SiC 和 GaN 功率半导体报告》，在混合动力及电动汽车、电源和光伏逆变器需求的拉动下，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率半导体的新兴市场
2020-11-16 10:19:322223 今日宽禁带半导体联盟秘书长陆敏博士发表了主题为“SiC和GaN功率电子技术及产业发展趋势”的演讲。
2020-12-04 11:12:042262 为实现低碳社会，电装开始量产搭载了高品质SiC（碳化硅）功率半导体的新一代升压用功率模块＊1。2020年12月9日在日本正式发售的丰田新一代“MIRAI”车型就搭载了该产品。 持续布局 深耕SiC
2020-12-21 16:20:263191 第三代半导体材料又称宽禁带半导体材料，主要包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等。与第一、二代半导体材料相比，第三代半导体材料拥有高禁带宽度、高饱和电子漂移速度、高热导率、导通阻抗小、体积小等优势
2021-05-03 16:18:0010174 
半导体的关键特性是能带隙，能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙（WBG）可以实现更高功率，更高开关速度的晶体管，WBG器件包括氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半导体。
2022-04-16 17:13:015712 宽带隙半导体具有许多特性，这些特性使其对高功率、高温器件应用具有吸引力。本文综述了三种重要材料的湿法腐蚀，即ZnO、GaN和SiC。虽然ZnO在包括HNO3/HCl和HF/HNO3的许多酸性溶液
2022-07-06 16:00:211642 
AspenCore 的 2021 年 PowerUP 博览会 用一整天的时间介绍宽带隙 (WBG) 半导体，特别是氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC)。WBG 小组讨论的重点是“下一波 GaN
2022-07-29 18:06:26391 
氮化镓（GaN）是一种非常坚硬且在机械方面非常稳定的宽带隙半导体材料。由于具有更高的击穿强度、更快的开关速度，更高的热导率和更低的导通电
阻，氮化镓基功率器件明显比硅基器件更优越。
氮化镓晶体
2023-02-15 16:19:060 本文介绍了使用多个电流探头研究SiC和GaN功率半导体器件的电极间电容。它分为四部分：双电流探头法原理、测量结果、三电流探头法原理和测量结果。
2023-02-19 17:06:18350 
SiC和GaN被称为“宽带隙半导体”(WBG)，因为将这些材料的电子从价带炸毁到导带所需的能量：而在硅的情况下，该能量为1.1eV，SiC（碳化硅）为3.3eV，GaN（氮化镓）为3.4eV。这导致了更高的适用击穿电压，在某些应用中可以达到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431 
sic功率半导体上市公司 sic功率半导体上市公司有三安光电、露笑科技、楚江新材、天通股份、东尼电子、华润微、扬杰科技、捷捷微电、华微电子、斯达半导、闻泰科技等公司，注意以上信息仅供参考，如果想了
2023-10-18 16:14:30586 随着电力电子技术的飞速发展，碳化硅（SiC）作为一种优秀的半导体材料，在功率器件领域的应用越来越广泛。
2024-01-03 10:13:43363 
1月8日，Luminus Devices宣布，湖南三安半导体与其签署了一项合作协议，Luminus将成为湖南三安SiC和GaN产品在美洲的独家销售渠道，面向功率半导体应用市场。
2024-01-13 17:17:561042
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