制造商: Infineon
产品种类: 射频(RF)双极晶体管
RoHS: 详细信息
系列: BFR93
晶体管类型: Bipolar
技术: Si
晶体管极性: NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO: 12 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 2 V
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
集电极—基极电压 VCBO: 20 V
直流电流增益 hFE 最大值: 70 at 30 mA at 8 V
增益带宽产品fT: 6000 MHz
高度: 1 mm
长度: 2.9 mm
最大直流电集电极电流: 0.09 A
Pd-功率耗散: 300 mW
产品类型: RF Bipolar Transistors
工厂包装：3000
子类别: Transistors
类型: RF Bipolar Small Signal
宽度: 1.3 mm
零件号别名: SP000011066 BFR93AE6327XT BFR93AE6327HTSA1
单位重量: 8 mg
