ST意法半导体STFW3N150原装正品，欢迎来电咨询洽谈订购！
类别：场效应管(MOSFET)
类型：N沟道
漏源电压(Vdss)：1.5kV
连续漏极电流(Id)：2.5A
功率(Pd)：63W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9Ω@10V,1.3A
阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250μA
--- 产品参数 ---
- 品牌制造商 STMicroelectronics
- 封装 TO-3PF-3
- Vds漏源极击穿电压 1.5 kV
- Id-连续漏极电流 2.5A
- Rds On 9 Ohms
- Vgs - 20 V, + 20 V
- 工作温度 - 55 C -+ 150 C
- Pd-功率 63 W
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
为你推荐
-
N沟道场效应管STD60NF06T4/60V/60A2024-11-01 16:46
产品型号：STD60NF06T4 型号：STD60NF06T4 品牌：ST意法 封装：TO-252 VDS：60V ID：60A -
N沟道场效应管STF6N95K5/950V/9A2024-11-01 16:31
产品型号：STF6N95K5 型号：STF6N95K5 品牌：ST意法 封装：TO-220F VDS：950V ID：9A -
N沟道场效应管STW4N150/1.5KV/4A2024-11-01 16:08
产品型号：STW4N150 型号：STW4N150 品牌：ST意法 封装：TO-247 VDS：1.5KV ID：4A -
N沟道场效应管STD10NF10T4/100V/13A2024-11-01 15:46
产品型号：STD10NF10T4 型号：STD10NF10T4 品牌：ST意法 封装：TO-252 VDS：100V ID：13A -
N沟道场效应管STP110N8F6(80V/110A)2024-11-01 15:20
产品型号：STP110N8F6 型号：STP110N8F6 品牌：ST意法 封装：TO-220 VDS：80V ID：110A -
N沟道场效应管STF13N80K5/800V/12A2024-11-01 14:57
产品型号：STF13N80K5 型号：STF13N80K5 品牌：ST意法 封装：TO-220F VDS：800V ID：12A -
N沟道贴片场效应管STD85N3LH5/30V/80A2024-11-01 14:06
产品型号：STD85N3LH5 型号：STD85N3LH5 品牌：ST意法 封装：TO-252 VDS：30V ID：80A -
N沟道贴片场效应管STN1HNK60/600V/400mA2024-11-01 13:42
产品型号：STN1HNK60 型号：STN1HNK60 品牌：ST意法 封装：SOT-223 VDS：600V ID：400mA -
运算放大器AS358AMTR-E12024-10-17 17:24
产品型号：AS358AMTR-E1 型号：AS358AMTR-E1 品牌：DIODES 封装：SOP-8 VCC：40V 输出电流：40mA -
N沟道插件场效应管10N65F(650V/10A)2024-08-22 15:41
产品型号：10N65F 型号：10N65F 品牌： GOODWORK 封装：TO-220F V DSS ：650V VGSS：± 30 V
-
薄膜电阻和厚膜电阻的区别2023-09-15 11:07
