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优起辰电子

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201 内容数 3.4w 浏览量 8 粉丝

N沟道场效应管STP110N8F6(80V/110A)

型号: STP110N8F6
品牌: ST(意法)

--- 产品参数 ---

  • 型号 STP110N8F6
  • 品牌 ST意法
  • 封装 TO-220
  • VDS 80V
  • ID 110A
  • Rds On 6.5Ω
  • PD 200W

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

制造商:  STMicroelectronics 

产品种类:  MOSFET 

RoHS:  Yes 

技术:  Si 

安装风格:  Through Hole 

封装 / 箱体:  TO-220-3 

晶体管极性:  N-Channel 

通道数量:  1 Channel 

Vds-漏源极击穿电压:  80 V 

Id-连续漏极电流:  110 A 

Rds On-漏源导通电阻:  6.5 mOhms 

Vgs - 栅极-源极电压:  - 20 V, + 20 V 

Vgs th-栅源极阈值电压:  2.5 V 

Qg-栅极电荷:  150 nC 

最小工作温度:  - 55 C 

最大工作温度:  + 175 C 

Pd-功率耗散:  200 W 

通道模式:  Enhancement 

商标名:  STripFET 

封装:  Tube 

商标:  STMicroelectronics 

配置:  Single 

下降时间:  48 ns 

高度:  15.75 mm 

长度:  10.4 mm 

产品类型:  MOSFETs 

上升时间:  61 ns 

系列:  STP110N8F6 

包装数: 1000 

子类别:  Transistors 

晶体管类型:  1 N-Channel Power MOSFET 

典型关闭延迟时间:  162 ns 

典型接通延迟时间:  24 ns 

宽度:  4.6 mm 

单位重量:  2 g 

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