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陕西航晶微电子有限公司

从事厚膜混合集成电路和半导体集成电路的设计、开发、生产和服务的高新科技企业。

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HJ393A/B/C耐高温SiC-MOSFET/IGBT隔离式驱动器

MOSFET IGBT MOSFET驱动器 IGBT驱动器
型号： HJ393A/B/C

--- 产品参数 ---

  • 带DC/DC隔离电源 系统只需要提供数字5V即可
  • 1800VDC 峰值隔离
  • 高共模瞬变抑制 CMTI≥50KV/μS
  • 最高工作温度可达 200℃
  • 能实现 IGBT管/SiC-MOS管的负电压关断
  • 输入输出 信号隔离
  • 充放电时间快 延迟时间短：（tr、tf≤50nS）
  • 0-100%占空比应 用适合高压大功率开关应用
  • 最高工作频率 HJ393A:500KHz; HJ393B:800KHz;
  • 瞬态峰值驱动电流 HJ393A：±9A; HJ393B：-2.5A/+5A;

--- 数据手册 ---

HJ393A.pdf

--- 产品详情 ---

    HJ393A/B/C是耐高温SiC-MOSFET/IGBT隔离式驱动器，内含DC/DC驱动、变压器、整流滤波、高速数字隔离和栅驱动器，实现单电源+5V供电。该电路内部产生隔离的VCC（+16V～+20 V）正电源电压和VEE（-3V～-6V）负电源电压。HJ393A能将最大500KHz占空比为0-100%的TTL /CMOS电平PWM信号转换成隔离的VCC到VEE的驱动信号，HJ393B最大输入频率为800KHz，HJ393C最大输入频率为1MHz。由于超宽的禁带能级，使得用SiC材质制作的NMOS管的正向跨导比传统的Si材质的小，故为了达到额定的ID电流，那么需要的栅源电压要大一些。另外，为了保证在Tj≥250℃下MOS管能够可靠关断，保证高温下输入低电平的噪声容限，SiC-MOS管需要一个负偏压关断，这点类似于IGBT管。该器件可满足SiC-MOS管/IGBT管栅极驱动的要求，确保SiC-MOS管/IGBT管的可靠导通和关断。其最大瞬态峰值驱动电流为4A，且具有较高的隔离度和抗扰度，确保在高频PWM信号和D极高电压的情况下电路可靠工作。主要特点有：

  • 自带DC/DC隔离电源
  • 1800VDC峰值隔离
  • 高共模瞬变抑制：CMTI≥50KV/μS
  • 最高工作温度可达200℃
  • 输入输出信号隔离
  • 0-100%占空比应用
  • 能实现IGBT管/SiC-MOS管的负电压关断
  • 最高工作频率达HJ393A:500KHz，HJ393B:800KHz，HJ393C:1MHz
  • 瞬态峰值驱动电流HJ393A：±9A，HJ393B：-2.5A/+5A，J393C:±1.5A
  • 充放电时间快，延迟时间短：（tr、tf≤50nS）

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