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深圳纳福半导体

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FDC5614P 场效应管 FAIRCHILD/仙童 MOSFET SSOT-6 P-CH

型号: FDC5614P

--- 产品参数 ---

  • 型号 FDC5614 FDC5614
  • 品牌 安森美 安森美
  • 封装 SOT23-6 SOT23-6
  • 批次 20+ 20+
  • 可售卖地 全国 全国

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

品牌

安森美

封装

SOT23-6

批次

20+

数量

15800

制造商

onsemi

系列

PowerTrench®

FET 类型

P 通道

漏源电压(Vdss)

60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

3A(Ta)

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

Vgs(最大值)

±20V

功率耗散(最大值)

1.6W(Ta)

工作温度

-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

可售卖地

全国

类型

分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET -

型号

FDC5614P

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