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HMC369LP3E 射频器件 ADI/亚德诺 封装QFN 批次21+

型号: HMC369LP3E

--- 产品参数 ---

  • 型号 HMC369LP3E
  • 品牌 ADI/亚德诺
  • 封装 QFN QFN
  • 批次 21+
  • 可售卖地 全国

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

技术参数

品牌:ADI/亚德诺
型号:HMC369LP3E
封装:QFN
批次:21+
数量:6500
制造商:Analog Devices Inc.
产品种类:射频放大器
RoHS:
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:QFN-16
类型:Multiplier
技术:GaAs
工作频率:12.7 GHz
P1dB - 压缩点:-
增益:-
工作电源电压:5 V
NF—噪声系数:-
测试频率:-
OIP3 - 三阶截点:-
工作电源电流:46 mA
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 85 C
系列:HMC369
频率范围:9.9 GHz to 12.7 GHz
商标:Analog Devices
通道数量:2 Channel
输入返回损失:17 dB
Pd-功率耗散:440 mW
产品类型:RF Amplifier
工厂包装数量:50
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits
电源电压-最大:5.5 V
电源电压-最小:4.5 V
单位重量:237 mg

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