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深圳纳福半导体

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IRFB3206PBF 场效应管 Infineon 封装N/A 批次22+

型号: IRFB3206PBF
品牌: Infineon(英飞凌)

--- 产品参数 ---

  • 型号 IRFB3206PBF
  • 品牌 Infineon
  • 封装 N/A
  • 批次 22+ 22+
  • 可售地 全国

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

品牌:Infineon
型号:IRFB3206PBF
封装:N/A
批次:22+
数量:30000
类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商:Infineon Technologies
系列:HEXFET®
FET 类型:N 通道
漏源电压(Vdss):60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3 毫欧 @ 75A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):170 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):6540 pF @ 50 V
功率耗散(最大值):300W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3

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