--- 产品参数 ---
- 型号 IRFB3206PBF
- 品牌 Infineon
- 封装 N/A
- 批次 22+ 22+
- 可售地 全国
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
品牌: | Infineon |
型号: | IRFB3206PBF |
封装: | N/A |
批次: | 22+ |
数量: | 30000 |
类别: | 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 |
制造商: | Infineon Technologies |
系列: | HEXFET® |
FET 类型: | N 通道 |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 120A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 3 毫欧 @ 75A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 150µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 170 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 6540 pF @ 50 V |
功率耗散(最大值): | 300W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | TO-220-3 |
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