1310nm半导体光放大器SOA芯片
见合八方1310nm波长的半导体光放大器（SOA）芯片系列具有高增益，高功率，低偏振和宽谱等优点，符合GR-468-CORE标准。该芯片全工艺国产，与国外主流SOA芯片兼容，支持订制、交期短、供货快。主要应用于光纤通信的高速光信号放大产品中。
产品亮点
- SOA芯片全国产，工艺自主可控
- 与主流SOA厂家结构尺寸一致，兼容性强
- 性价比高，交期短，供货快，需求订制，快速迭代
产品应用
- 蝶形或小box封装的半导体光放大器，用于40G/100G高速业务的光放大
- 集成在100G光模块的ROSA中，提高光功率预算
- 硅光子集成产品中，用于弥补1310nm光信号的传输损耗
典型特性
产品规格（芯片温度@25℃）
参数 | 符号 | 工作条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
中心波长 | LC | --- | 1260 | 1300 | 1340 | nm |
带宽 | Dλ | @-3dB | --- | 70 | --- | nm |
工作电流 | If | --- | --- | 120 | 300 | mA |
饱和光功率 | P0 | If=120mA | 11 | --- | --- | dBm |
小信号增益 | G | If=120mA Pin=-25dBm | 14 | 15 | 16 | dB |
芯片出光角度 | --- | --- | --- | 30 | --- | ° |
噪声系数 | NF | --- | --- | 7.5 | --- | dB |
偏振相关增益 | PDG | --- | --- | 1.0 | 2.0 | dB |
正向电压 | Vf | --- | --- | --- | 1.8 | V |
光斑尺寸 | qL/qT | --- | --- | 16/30 | --- | ° |
工作温度 | TC | I=Iop | -10 | --- | 70 | ℃ |
存储温度 | Tstg | --- | -40 | --- | 85 | ℃ |
芯片尺寸(长x宽L x高) | --- | --- | 900x400x100 (+/-15) | µm | ||
结构尺寸（mm）
