产品
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CGH40045F 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-06-09 11:33
产品型号：CGH40045F 频率：高达 4 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 时 16 dB 小信号增益 增益：4.0 GHz 时 12 dB 小信号增益 PSAT功率：55 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率为 55% -
CGH40035F-AMP 高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板2022-06-09 11:11
产品型号：CGH40035F-AMP 频率：高达 4 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 时 15 dB 小信号增益 增益：4.0 GHz 时 13 dB 小信号增益 PSAT功率：45 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 60 % 的效率 -
CGH40035F 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-06-09 11:08
产品型号：CGH40035F 频率：高达 4 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 时 15 dB 小信号增益 增益：4.0 GHz 时 13 dB 小信号增益 PSAT功率：45 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 60 % 的效率 -
CGH40025F-AMP 高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板2022-06-09 10:47
产品型号：CGH40025F-AMP 频率：高达 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 时 15 dB 小信号增益 增益：4.0 GHz 时 13 dB 小信号增益 PSAT功率：30 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率为 62% -
CGH40025F 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-06-09 10:44
产品型号：CGH40025F 频率：高达 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 时 15 dB 小信号增益 增益：4.0 GHz 时 13 dB 小信号增益 PSAT功率：30 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率为 62% -
CGH40025P 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-06-09 10:41
产品型号：CGH40025P 频率：高达 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 时 15 dB 小信号增益 增益：4.0 GHz 时 13 dB 小信号增益 PSAT功率：30 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率为 62% -
CAB450M12XM3碳化硅功率模块2022-06-08 20:06
产品型号：CAB450M12XM3 阻断电压：1200V 包裹：XM3 配置：半桥 电阻：2.6μJ 模块尺寸：80 x 53 x 19 毫米 -
CAB425M12XM3碳化硅功率模块2022-06-08 19:54
产品型号：CAB425M12XM3 阻断电压：1200V 包裹：XM3 配置：半桥 电阻：3.2μJ 模块尺寸：80 x 53 x 19 毫米 -
CAB400M12XM3碳化硅功率模块2022-06-08 19:48
产品型号：CAB400M12XM3 阻断电压：1200V 包裹：XM3 配置：半桥 电阻：2.6μJ 模块尺寸：80 x 53 x 19 毫米 -
CPW6-1200-Z050A裸片碳化硅肖特基二极管2022-06-08 19:29
产品型号：CPW6-1200-Z050A 阻断电压：1200V 总电容电荷：279nC 最高结温：175°C 最高加工温度：325 ˚C