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CGH40090PP-AMP 高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板2022-06-10 14:40
产品型号：CGH40090PP-AMP 频率：高达 2.5 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 时 16 dB 小信号增益 PSAT功率：100 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率为 55% 电压：28 伏操作 -
CGH40090PP 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-06-10 14:38
产品型号：CGH40090PP 频率：高达 2.5 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 时 16 dB 小信号增益 增益：100 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率为 55% 电压：28 伏操作 -
CAB016M12FM3碳化硅功率模块2022-06-09 21:05
产品型号：CAB016M12FM3 阻断电压：1200V 包裹：调频3 配置：半桥 电阻：16μJ 模块尺寸：62.8 毫米 x 33.8 毫米 -
CCB021M12FM3碳化硅功率模块2022-06-09 21:00
产品型号：CCB021M12FM3 阻断电压：1200V 包裹：调频3 配置：六包（三相） 电阻：21μJ 最高结温：150°C -
CCB032M12FM3碳化硅功率模块2022-06-09 20:54
产品型号：CCB032M12FM3 阻断电压：1200V 包裹：调频3 配置：六包（三相） 电阻：32μJ 最高结温：150°C -
CAB006M12GM3碳化硅功率模块2022-06-09 20:49
产品型号：CAB006M12GM3 阻断电压：1200V 包裹：GM3 配置：半桥 电阻：6μJ 模块尺寸：62.8 毫米 x 56.7 毫米 -
CAB006A12GM3碳化硅功率模块2022-06-09 20:45
产品型号：CAB006A12GM3 阻断电压：1200V 包裹：GM3 配置：半桥（AlN 基板 电阻：6μJ 模块尺寸：62.8 毫米 x 56.7 毫米 -
CAB008A12GM3碳化硅功率模块2022-06-09 20:41
产品型号：CAB008A12GM3 阻断电压：1200V 包裹：GM3 配置：半桥（AlN 基板） 电阻：8μJ 模块尺寸：62.8 毫米 x 56.7 毫米 -
CAB008M12GM3碳化硅功率模块2022-06-09 20:35
产品型号：CAB008M12GM3 阻断电压：1200V 包裹：GM3 配置：半桥 电阻：8μJ 模块尺寸：62.8 毫米 x 56.7 毫米 -
CAB760M12HM3R碳化硅功率模块2022-06-09 20:24
产品型号：CAB760M12HM3R 阻断电压：1200V 包裹：HM 高性能 62 毫米 配置：用于并联的半桥右 GK 最大脉冲正向电流：1300V 电阻：1.33μJ