产品
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IPD50P04P4L-11-VB-TO252封装P沟道MOSFET2023-11-07 16:40
产品型号：IPD50P04P4L-11-VB 沟道类型： P沟道 最大工作电压： -40V 最大工作电流： -65A 导通电阻： 10mΩ@10V, 13mΩ@4.5V, 20Vgs(± 阈值电压： -1.6Vth(V) -
NTD20N06LT4G-VB-TO252封装 N沟道MOSFET2023-11-07 16:30
产品型号：NTD20N06LT4G-VB 沟道类型： N沟道 额定电压： 60V 额定电流： 45A 导通电阻 ： 24mΩ @ 10V，28mΩ @ 4.5V 硅极电压 ： 20Vgs (±V) -
STD35P6LLF6-VB-TO252封装沟道MOSFET2023-11-07 16:20
产品型号：STD35P6LLF6-VB 型号： STD35P6LLF6-VB 丝印： VBE2625 品牌： VBsemi 功能 ： P沟道功率MOSFET 最大工作电压： -60V -
RSQ045N03TR-VB-SOT23-6封装N沟道MOSFET2023-11-07 11:59
产品型号：RSQ045N03TR-VB 额定电压： 30V 额定电流： 6A RDS(ON)：30mΩ@10V, 40mΩ@4.5V 门压(Vgs：) 20Vgs(±V) 阈值电压(Vth： 1.2Vth(V) -
NTD5865NL-1G-VB-TO251封装 N沟道MOSFET2023-11-07 11:48
产品型号：NTD5865NL-1G-VB 类型 ： N沟道 额定电压： 60V 额定电流 ： 50A 开通电阻 ： 10mΩ@10V, 12mΩ@4.5V 门电压阈值： 1.94Vth(V) -
APM2701AC-VB-SOT23-6封装 N+P沟道MOSFET2023-11-07 11:38
产品型号：APM2701AC-VB 沟道类型： N+P沟道 最大电压： ±20V 最大电流 ： 7A正向，4.5A反向 开通电阻： 20mΩ @ 4.5V，70mΩ @ 4.5V 关断电阻： 29mΩ @ 2.5V，106mΩ @ 2.5V -
IRFR3410TRPBF-VB-TO252封装 N沟道MOSFET2023-11-07 11:25
产品型号：IRFR3410TRPBF-VB 类型 ： N沟道 最大电压（Vds）： 100V 最大电流（Id）： 40A 开态电阻（RDS(O：30mΩ @ 10V, 31 阈值电压（Vth）： 1.8V -
FQU15N06L-VB-TO251封装N沟道MOSFET2023-11-07 11:15
产品型号： FQU15N06L-VB 类型：N沟道 最大电压：60V 最大电流： 25A 开态电阻： 32mΩ @ 10V, 36mΩ @ 4.5V 门源电压范围 ：±20V -
SI9948AEY-T1-E3-VB-SOP8封装2个P沟道MOSFET2023-11-07 10:56
产品型号：SI9948AEY-T1-E3-VB 极性： 2个P沟道 额定电压： 60V 额定电流： 5.3A RDS(ON)： 58mΩ @ 10V, 70mΩ @4.5V 额定栅极源极电压（V： 20V (±V) -
NTR4170NT1G-VB-SOT23封装N沟道MOSFET2023-11-07 10:46
产品型号：NTR4170NT1G-VB 类型 ：N沟道 最大耐压： 30V 最大电流： 6.5A 导通电阻 ：30mΩ@10V, 33mΩ@4.5V 门源电压： 20Vgs (±V)-