产品
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HM3400PR-VB-SOT89-3封装N沟道MOSFET2023-11-06 09:59
产品型号：HM3400PR-VB 类型： N沟道 最大耐压： 30V 最大漏极电流： 6.8A RDS(ON) ：33mΩ@10V, 45mΩ@4.5V 栅极电压（Vgs）范： ±20V -
2SK1273-VB-SOT89-3封装N沟道MOSFET2023-11-06 09:50
产品型号：2SK1273-VB 频道类型： N沟道 额定电压 ：60V 额定电流： 5A RDS(ON)： 76mΩ @ 10V，88mΩ @ 4.5V 门源电压范围： ±20V -
AP6679GH-VB-TO252封装P沟道MOSFET2023-11-06 09:41
产品型号：AP6679GH-VB 极性： P沟道 额定电压： 30V 额定电流： 60A RDS(ON)： 9mΩ @ 10V, 12mΩ @ 4.5 额定栅极源极电压（V： 20V (±V) -
SI2323DS-T1-GE3-VB-SOT23封装P沟道MOSFET2023-11-06 09:17
产品型号：SI2323DS-T1-GE3-VB 类型： P沟道 最大耐压： 30V 最大电流 ：5.6A 导通电阻： 47mΩ @10V, 56mΩ @4.5V 门源电压： 20Vgs (±V) -
AOD408-VB-TO252封装N沟道MOSFET2023-11-03 16:13
产品型号：AOD408-VB 沟道类型： N沟道 额定电压： 30V 额定电流： 70A 导通电阻： 7mΩ @ 10V, 9mΩ @ 4.5V 阈值电压： 1.8V -
BS250FTA-VB-SOT23封装P沟道MOSFET2023-11-03 16:03
产品型号：BS250FTA-VB 类型： P沟道 最大耐压： 60V 最大漏极电流 ：0.5A RDS(ON)）： 3000mΩ@10V, 3680mΩ@4.5V 栅极电压（Vgs）范： ±20V -
MTB1D7N03E3-VB-TO220封装N沟道MOSFET2023-11-03 15:55
产品型号：MTB1D7N03E3-VB 频道类型： N沟道 额定电压： 30V 额定电流： 180A RDS(ON) ：2mΩ @ 10V，2.8mΩ @ 4.5V 门源电压范围 ：20V -
2SJ245S-VB-TO252封装P沟道MOSFET2023-11-03 15:41
产品型号：2SJ245S-VB 极性： P沟道 额定电压 ：60V 额定电流： 38A RDS(ON）： 61mΩ @ 10V, 72mΩ @ 4.5 额定栅极源极电压（V： 20V (±V) -
IRF8788TRPBF-VB-SOP8封装N沟道MOSFET2023-11-03 15:31
产品型号：IRF8788TRPBF-VB 类型： N沟道 最大耐压： 30V 最大电流： 20A 导通电阻 ：4mΩ@10V, 4.5mΩ@4.5V 门源电压： 20Vgs (±V) -
PSMN025-100D-VB-TO252封装沟道MOSFET2023-11-03 15:21
产品型号：PSMN025-100D-VB 沟道类型 ：N沟道 额定电压： 100V 额定电流： 45A 导通电阻： 18mΩ @ 10V, 20Vgs (±V) 阈值电压： 3.2V