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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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微碧半导体VBsemi产品

  • SUD08P06-155L-E3-VB-TO252封装P沟道MOSFET2023-11-09 16:24

    产品型号:SUD08P06-155L-E3-VB 沟道类型: P沟道 额定电压 : -60V 额定电流: -38A 导通电阻: 61mΩ(在10V下) 72mΩ(在4.5V) 门源极电压: 20V(正负)
  • 15N10 TO252-VB-TO252封装N沟道MOSFET2023-11-09 16:15

    产品型号:15N10 沟道类型:N沟道 额定电压:100V 额定电流:18A 静态电阻: 115mΩ @ 10V, 121mΩ @ 4.5V 门源极电压 :±20V
  • SQD40P10-40L-GE3-VB-TO252封装P沟道MOSFET2023-11-09 16:05

    产品型号:SQD40P10-40L-GE3-VB 功能类型: P沟道 最大电压: -100V 最大电流: -40A 开通电阻 : 33mΩ @ 10V,36mΩ @ 4.5 栅源电压: ±20V
  • IPD30N06S2L-13-VB-TO252封装N沟道MOSFET2023-11-09 15:55

    产品型号:IPD30N06S2L-13-VB 电压: 60V 电流:45A 开启电阻:24mΩ @ 10V, 28mΩ @ 4.5V 阈值电压:1.8V 封装形式: TO252
  • MMBF0201NLT1G-VB-SOT23封装N沟道MOSFET2023-11-09 15:46

    产品型号:MMBF0201NLT1G-VB 类型 : N沟道 额定电压 :20V 额定电流 : 6A 开通电阻 : 24mΩ @ 4.5V、33mΩ @ 2. 门源电压范围 : 8Vgs (±V)
  • IRFR9024TRPBF-VB-TO252封装P沟道MOSFET2023-11-09 15:38

    产品型号:IRFR9024TRPBF-VB 类型: P沟道 最大漏源电流: -38A RDS(ON):61mΩ @ 10V;72mΩ @ 4.5V 阈值电压:Vth -1.3V 封装类型 : TO252
  • IRFR3710ZTRPBF-VB-TO252封装N沟道MOSFET2023-11-09 13:39

    产品型号:IRFR3710ZTRPBF-VB 管脚类型:TO252 极性: N沟道 额定电压: 100V 额定电流: 45A 静态电阻:18mΩ@10V,20Vgs(±V)
  • NCE60P25K-VB-TO252封装P沟道MOSFET2023-11-09 11:55

    产品型号:NCE60P25K-VB 沟道类型 : P沟道 额定电压: -60V 额定电流: -22A 导通电阻 : 48mΩ@10V, 57mΩ@4.5V 阈值电压: -1.5Vth(V)
  • FQD50N06-VB-TO252封装N沟道MOSFET2023-11-09 11:44

    产品型号:FQD50N06-VB 沟道类型: N沟道 额定电压: 60V 额定电流: 60A 开启电阻 : 9mΩ @ 10V, 11mΩ @ 4.5 门源极最大电压 : 20Vgs (±V)
  • IRFR024NTRPBF-VB-TO252封装N沟道MOSFET2023-11-09 11:36

    产品型号:IRFR024NTRPBF-VB 极性 : N沟道 工作电压 :60V 额定电流: 18A 开通电阻: 73mΩ @ 10V, 85mΩ @ 4.5V 门源电压范围: 20V