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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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微碧半导体VBsemi产品

  • AO4882-VB-SOP8封装2个N沟道MOSFET2023-10-31 15:35

    产品型号:AO4882-VB 类型: 2个N沟道 最大耐压: 40V 最大电流: 12A 导通电阻 :15mΩ @10V, 20mΩ @4.5V 门源电压 :20Vgs (±V)
  • SUD50P06-15L-GE3-VB-TO252封装沟道MOSFET2023-10-31 15:26

    产品型号:SUD50P06-15L-GE3-VB 类型: P沟道 额定电压(VDS): 60V 额定电流(ID): 50A 开通电阻(RDS(O: 20mΩ@10V, 25mΩ@4.5V 阈值电压(Vth) : 1.76V
  • Si2338DS-T1-GE3-VB-SOT23封装N沟道MOSFET2023-10-31 15:13

    产品型号:Si2338DS-T1-GE3-VB 频道类型: N沟道 额定电压: 30V 额定电流: 6.5A RDS(ON) :30mΩ @ 10V,33mΩ @ 4.5V 门源电压范围: ±20V
  • MTD3302-VB-TO252封装N沟道MOSFET2023-10-31 15:03

    产品型号:MTD3302-VB 极性: N沟道 额定电流: 60A 额定电压: 30V 导通电阻: 10mΩ @ 10V, 11mΩ @ 4.5V 门源电压: 20Vgs (±V)
  • RSD050N10TL-VB-TO252封装沟道MOSFET2023-10-31 14:54

    产品型号:RSD050N10TL-VB 类型: N沟道 最大耐压: 100V 最大电流: 18A 导通电阻: 115mΩ @10V, 121mΩ @4.5V 门源电压: 20Vgs (±V)
  • FDN357N-NL-VB-SOT23封装N沟道MOSFET2023-10-31 14:43

    产品型号:FDN357N-NL-VB 类型: N沟道 额定电压(VDS): 30V 额定电流(ID): 6.5A 开通电阻(RDS(O:30mΩ@10V, 33mΩ@4.5V 阈值电压范围(Vth: 1.2~2.2V
  • STN3NF06L-VB-SOT223封装N沟道MOSFET2023-10-31 14:33

    产品型号:STN3NF06L-VB 频道类型 :N沟道 额定电压: 60V 额定电流: 7A RDS(ON): 24mΩ @ 10V,27mΩ @ 4.5V 门源电压范围 :±20V
  • IRLR3410TRPBF-VB-TO252封装N沟道MOSFET2023-10-31 14:23

    产品型号:IRLR3410TRPBF-VB 极性: N沟道 额定电压 :100V 额定电流: 18A 导通电阻 :115mΩ @ 10V, 121mΩ @ 4.5V 门源电压: 20Vgs (±V)
  • NTR0202PLT1G-VB-SOT23封装P沟道MOSFET2023-10-31 14:13

    产品型号:NTR0202PLT1G-VB 类型: P沟道 最大耐压 :20V 最大电流: 4A 导通电阻 :57mΩ @4.5V, 83mΩ @2.5V 门源电压: 12Vgs (±V)
  • IRLML2803TRPBF-VB-SOT23封装N沟道MOSFET2023-10-31 14:00

    产品型号:IRLML2803TRPBF-VB 类型 :N沟道 最大耐压: 30V 最大漏极电流: 6.5A (RDS(ON)): 30mΩ@10V, 33mΩ@4.5V 栅极电压(Vgs):范围 ±20V