--- 产品参数 ---
- 封装 TO252封装
- 沟道 N—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
产品简介:
RQJ0517FQDQS-VB是VBsemi品牌的N-Channel沟道MOSFET,具有200V的额定电压和10A的额定电流。在10V的门极电压下,其导通电阻为245mΩ。该器件采用TO252封装。
详细参数说明:
- 通道类型:N-Channel沟道
- 额定电压(VDS):200V
- 额定电流(ID):10A
- 导通电阻(RDS(ON)):245mΩ @ VGS=10V
- 门极电压(VGS):20V
- 门极阈值电压(Vth):3.06V
- 封装类型:TO252
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/C1/0C/wKgaomXS0maAJ93ZAAH6BiKkKnY230.png)
适用领域和模块:
1. **电源转换器**:RQJ0517FQDQS-VB适用于各种电源转换器和逆变器模块,如DC-DC转换器和AC-DC转换器。具有高额定电压和电流能力,可满足不同功率级别的转换需求,实现高效的能量转换。
2. **电机控制**:在电机驱动领域,该MOSFET可用于电机的开关控制,实现电机的启停和速度调节。其低导通电阻和高电压能力有助于提高电机系统的效率和响应性。
3. **电源管理**:可用于各种电源管理功能,如电池充放电保护、开关电源和稳压等。高电压额定值和低导通电阻使其在电源管理应用中表现出色。
4. **工业控制**:在工业自动化和控制系统中,RQJ0517FQDQS-VB可用于控制和驱动各种负载,如继电器、电磁阀和电动执行器。其可靠性和性能使其成为工业控制系统的理想选择。
综上所述,RQJ0517FQDQS-VB适用于电源转换器、电机控制、电源管理和工业控制等领域的各种模块和设备。
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