### 产品简介：
1333GU-VB是一款单P沟道MOSFET，采用Trench技术制造，具有-20V的漏极-源极电压（VDS）、12V的栅极-源极电压（VGS）、-0.6V的阈值电压（Vth）、100mΩ@VGS=2.5V和80mΩ@VGS=4.5V的导通电阻（RDS(ON)），以及-3.1A的漏极电流（ID）。适用于中低功率电路设计。
### 参数说明：
- **型号：** 1333GU-VB
- **封装：** SC70-3
- **构型：** 单P沟道
- **漏极-源极电压（VDS）：** -20V
- **栅极-源极电压（VGS）：** ±12V
- **阈值电压（Vth）：** -0.6V
- **导通电阻（RDS(ON))：** 100mΩ @ VGS=2.5V, 80mΩ @ VGS=4.5V
- **漏极电流（ID）：** -3.1A
- **技术：** Trench
### 适用领域和模块：
1. **电源管理：** 由于1333GU-VB具有较低的漏极-源极电压和适中的导通电阻，适用于中低功率电源管理电路中的电压调节和电流控制。
2. **移动设备：** 适用于移动设备中的电池管理电路，如充放电控制和电池保护电路。
3. **汽车电子：** 在汽车电子领域，可用于汽车电子控制单元（ECU）中的电源开关和驱动器，提供可靠的电源控制和驱动功能。
4. **工业控制：** 适用于工业控制领域中的电源开关和驱动器，提供高效、可靠的电源控制和驱动功能。
5. **便携式医疗设备：** 可用于便携式医疗设备中的电源管理电路，如便携式医疗检测仪器和治疗设备。
