VBsemi的MOSFET产品190N55LF3-VB是一款单通道N沟道器件，具有60V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，±V），和3V的阈值电压（Vth）。该器件采用了Trench技术，以下是对该产品的详细介绍和参数说明：
**产品简介：**
190N55LF3-VB MOSFET是一款高性能的单N沟道功率MOSFET，适用于各种中高压应用。它具有低导通电阻和高导通能力，适用于需要高效能和可靠性的应用场合。该器件广泛应用于各种领域和模块，如电源供应、电机控制、电池管理、汽车电子等。
**详细参数：**
- **VDS（漏极-源极电压）:** 60V
- **VGS（栅极-源极电压）:** 20V（±V）
- **阈值电压（Vth）:** 3V
- **导通电阻（RDS(ON)）:**
- 9mΩ @ VGS=4.5V
- 3mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）:** 210A
- **封装:** TO220
- **技术:** Trench
**适用领域和模块：**
190N55LF3-VB适用于各种领域和模块，包括但不限于：
1. **电源供应模块：** 用于开关电源、逆变器和稳压器等模块中，以提供高效的电能转换和控制。
2. **电机控制：** 用于电动汽车、工业机械和家用电器等领域中，以实现高效的电机控制和驱动。
3. **电池管理：** 用于锂电池管理系统、充电器等模块中，以实现高效的电池管理和充电控制。
4. **汽车电子：** 用于汽车引擎控制、车身电子系统等领域中，以提供高效、可靠的电子控制解决方案。
总的来说，190N55LF3-VB MOSFET是一款性能优良、适用广泛的功率器件，适合各种中高压应用领域和模块。