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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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AUIRFB3306-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: AUIRFB3306-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO220
  • 沟道 Single-N

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、产品简介

**AUIRFB3306-VB** 是一款高性能N沟道MOSFET,封装为TO220。它采用先进的沟槽技术,设计用于高电流和高电压应用,具备出色的导电性和热稳定性。该MOSFET的漏源电压为60V,栅源电压为±20V,阈值电压为3V。AUIRFB3306-VB 的导通电阻在不同栅源电压下分别为9mΩ(VGS=4.5V)和3mΩ(VGS=10V),并且其漏极电流可达到210A。其高电流处理能力和低导通电阻使其在电源开关、功率管理和电动机控制等应用中表现优异。

### 二、详细参数说明

- **型号**:AUIRFB3306-VB
- **封装**:TO220
- **配置**:单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:60V
- **栅源电压 (VGS)**:20V(±)
- **阈值电压 (Vth)**:3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 9mΩ @ VGS=4.5V
 - 3mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:210A
- **技术**:沟槽技术

### 三、应用领域和模块示例

**1. 电源管理系统**
在电源管理系统中,AUIRFB3306-VB 的高电流承载能力和低导通电阻使其非常适合用于高功率电源开关和DC-DC转换器。它能够在高负载条件下稳定工作,确保电源转换的高效性和可靠性,从而提高整个电源系统的性能。

**2. 电动机驱动**
AUIRFB3306-VB 适用于电动机驱动应用,如电动汽车和工业电动机控制器。其高漏极电流能力使其能够处理大型电动机启动和运行中的高电流需求,且低导通电阻有助于减少功率损耗,提高电动机的驱动效率。

**3. 高功率开关**
该MOSFET 也非常适合用于高功率开关应用,例如在电力转换系统和功率放大器中。它的低导通电阻和高电流能力确保了在高功率条件下的有效开关操作,从而提高了系统的整体效率和稳定性。

**4. 逆变器**
在逆变器应用中,AUIRFB3306-VB 能够处理高电压和大电流,适用于太阳能逆变器和UPS系统等高功率逆变器。其卓越的性能和稳定性帮助提升逆变器的能效和可靠性,确保稳定的电力供应。

**5. 电池管理系统**
在电池管理系统中,AUIRFB3306-VB 的高电流处理能力和低导通电阻使其适用于电池开关和电池保护模块。它能够有效管理电池的充放电过程,提供高效的电池保护和控制。

AUIRFB3306-VB 的多用途和高性能特性使其在各种高功率应用中都能够提供卓越的性能和可靠性,成为许多工程应用中的理想选择。

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