### VBsemi 2N80L-TN3-R-VB MOSFET 产品概述
VBsemi 2N80L-TN3-R-VB 是一款 N-Channel MOSFET，采用 TO252 封装，适用于中功率应用。该器件具有稳定的性能和可靠性，适用于各种电子设备和系统。
### 详细规格
- **封装**：TO252
- **配置**：单 N-Channel
- **VDS（漏源电压）**：800V
- **VGS（栅源电压）**：±30V
- **Vth（阈值电压）**：3.5V
- **RDS(ON)（漏源电阻）**：2600mΩ @ VGS = 10V
- **ID（连续漏极电流）**：2A
- **技术**：SJ_Multi-EPI
### 应用示例
1. **电源开关**：
2N80L-TN3-R-VB 可用作电源开关，控制中功率电源的开关。其高漏源电压和适中的漏源电阻使其成为电源开关的理想选择。
2. **逆变器**：
该 MOSFET 可用于逆变器电路，将直流电转换为交流电。其稳定的性能和高漏源电压使其适用于逆变器应用。
3. **照明控制**：
在照明控制中，2N80L-TN3-R-VB 可用于控制灯光的开关和亮度。其高电压和适中的电流能力使其成为照明控制的理想选择。
4. **电动车充电器**：
由于其高漏源电压和适中的电流能力，该器件可用于电动车充电器中的开关和控制电路。
总的来说，VBsemi 2N80L-TN3-R-VB MOSFET 可在电源开关、逆变器、照明控制和电动车充电器等领域中发挥作用，为各种中功率应用提供高效能的解决方案。
