--- 产品参数 ---
- 封装 TO251封装
- 沟道 P-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**型号:2SJ246L-VB**
2SJ246L-VB 是一款单P沟道MOSFET,采用TO251封装,具备高性能和可靠性。其采用槽沟道(Trench)技术,结合了高导通电流和低导通电阻的特点,适用于中功率应用。
### 产品详细参数
- **封装类型**: TO251
- **配置**: 单P沟道
- **漏源电压 (VDS)**: -30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 72mΩ @ VGS = 4.5V
- 56mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: -20A
- **技术类型**: 槽沟道(Trench)
### 应用领域及模块
2SJ246L-VB MOSFET 在多个领域和模块中具有广泛的应用。以下是一些示例:
1. **电源管理模块**: 由于其高导通电流和低导通电阻特性,该MOSFET适用于中功率的开关电源、DC-DC转换器和电池管理系统。它能够有效地处理中功率,提供高效的电能转换和分配。
2. **电机驱动和控制系统**: 在需要中功率电机驱动和控制的应用中,2SJ246L-VB MOSFET的高导通电流和低导通损耗可以提高系统的效率和性能。这在电动工具、汽车电子和工业自动化设备中具有重要意义。
3. **LED照明**: 在中功率LED照明系统中,需要高效的功率管理器件来驱动LED。2SJ246L-VB 的特性使其适用于LED驱动器和照明控制系统,提供稳定的电源和高效的能量转换。
4. **汽车电子**: 在汽车电子系统中,MOSFET需要能够承受汽车电气系统的高压和高温环境。2SJ246L-VB 的特性使其适用于汽车的点火系统、电池管理、动力转换和驱动控制等应用。
通过结合高导通电流、低导通电阻和槽沟道技术,2SJ246L-VB MOSFET 是中功率应用的理想选择。其可靠性和性能使其在多个领域和模块中得到广泛应用。
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