--- 产品参数 ---
- 封装 TO220封装
- 沟道 Single-N沟道
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**型号:2SK3432-VB**
2SK3432-VB 是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO-220封装。它具有40V的漏源极电压(VDS),适用于中等功率应用。采用了Trench技术,具有优异的性能和可靠性。
### 产品参数说明
- **封装类型**:TO-220
- **配置**:单N沟道
- **漏源极电压(VDS)**:40V
- **栅源极电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:2.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 4.5V栅源极电压下为7mΩ
- 10V栅源极电压下为6mΩ
- **连续漏极电流(ID)**:110A
- **技术**:Trench
### 应用领域和模块举例
**1. 电源管理**
2SK3432-VB 可以用于开关电源(SMPS)和DC-DC转换器等电源管理模块中。其适中的漏源极电压和导通电阻使其成为这些模块中的理想开关元件。
**2. 电动工具**
在电动工具中,该MOSFET可用于控制电动工具的驱动电流。其高性能和可靠性使其成为电动工具中的重要组成部分。
**3. 电动汽车充电桩**
在电动汽车充电桩中,2SK3432-VB 可以用于控制充电桩的功率转换和输出。其适中的电气特性和高可靠性使其成为充电桩中的理想元件。
**4. 舞台灯光控制**
在舞台灯光控制系统中,该MOSFET可用于驱动高功率的灯光设备。其高漏源极电压和低导通电阻特性使其在舞台灯光控制领域得到广泛应用。
**总结**
2SK3432-VB 是一款中等功率、高性能的N沟道MOSFET,适用于需要中等功率和低导通电阻的应用场景。其优异的电气性能和可靠性使其成为电源管理、电动工具、电动汽车充电桩和舞台灯光控制等领域的理想选择。
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