--- 产品参数 ---
- 封装 TO220F封装
- 沟道 N-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、2SK1611-VB产品简介
2SK1611-VB是一款由VBsemi制造的单N沟道MOSFET,采用TO220F封装形式。该型号具有高耐压特性,适用于需要承受高电压的应用场合。其高可靠性和稳定性使其成为各种高压电源管理和开关控制应用的理想选择。
### 二、2SK1611-VB详细参数说明
- **型号**: 2SK1611-VB
- **封装形式**: TO220F
- **配置**: 单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 850V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 2200mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 5A
- **技术类型**: 平面型
### 三、2SK1611-VB应用领域和模块举例
1. **电源管理模块**:
2SK1611-VB可用于高压开关电源(SMPS)中的开关管,具有承受高电压和高电流的能力,适用于工业电源、服务器电源等高功率应用。
2. **电动汽车充电桩**:
由于其高耐压特性,可用于电动汽车充电桩中的电源开关,提供安全可靠的高压转换和充电功能。
3. **工业控制系统**:
在工业自动化控制系统中,2SK1611-VB可用于高压电源开关和电机控制,提供可靠的高压开关功能。
4. **太阳能逆变器**:
适用于太阳能逆变器中的高压开关电路,通过高耐压和低导通电阻,提供高效的太阳能能量转换。
5. **医疗设备**:
在需要高电压和高可靠性的医疗设备中,2SK1611-VB可用于电路开关和控制,确保设备的稳定运行和安全性。
通过以上应用实例可以看出,2SK1611-VB适用于各种需要高耐压和高可靠性的电路控制和开关应用,广泛应用于工业电源、电动汽车充电桩、太阳能逆变器等领域。
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