--- 产品参数 ---
- 封装 TO252
- 沟道 Single-P
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
AUFR9024N-VB 是一款高性能的单P沟道功率MOSFET,封装为TO252,适用于需要高电流和高电压的应用。采用先进的沟槽技术,AUFR9024N-VB 提供了低导通电阻和高可靠性,特别适合用于要求高效能和稳定性的电源管理和开关应用。
### 详细参数说明
- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单P沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: -60V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 72mΩ @ VGS = 4.5V
- 61mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: -30A
- **技术**: 沟槽型
### 应用领域和模块
1. **电源管理**: AUFR9024N-VB 在电源管理模块中表现优异,特别是在DC-DC转换器和电源适配器中。它的低导通电阻和高电流处理能力使其能够提供高效的电源转换,并在电流开关中保持稳定。
2. **逆变器应用**: 在太阳能逆变器和风力发电系统中,AUFR9024N-VB 可用于处理负载开关和电源控制,确保系统的高效能和可靠性。
3. **电动汽车**: 该MOSFET 适合用于电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的电池管理系统和功率开关,能够在高电流和高电压条件下稳定工作。
4. **电机控制**: 在电动工具和工业电机控制系统中,如电动机驱动和伺服系统,AUFR9024N-VB 提供了高电流能力和低导通电阻,确保电机控制的高效和稳定。
5. **负载开关**: AUFR9024N-VB 可用于高电流负载开关应用,例如在计算机电源和消费电子产品中提供高效的开关控制。
AUFR9024N-VB 的低导通电阻和高电流处理能力使其在多个高性能、高电流应用中表现出色,确保了系统的稳定性和高效性。
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