--- 产品参数 ---
- 型号 STB15810
- 品牌 ST意法
- 封装 D2PAK
- 漏源电压(Vdss) 100V
- 连续漏极电流(Id) 110A
- 功率(Pd) 250W
- 工作温度 -55℃~+175℃@(Tj)
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
STB15810是ST意法半导体生产的一款N沟道增强型场效应管,其详细参数如下:
- 漏源电压(Vdss):100V;
- 漏极电流(Id):250W;
- 漏源导通电阻(Rds(on)):3.4mΩ@10V,55A;
- 栅源电压(Vgs):117nC@0~10V;
- 栅极电荷(Qg):117nC@0~10V;
- 反向恢复时间:-;
- 最大耗散功率:250W;
- 配置类型:-;
- 工作温度范围:-55℃~+175℃;
- 安装类型:表面安装型;
- 应用领域:汽车电子、网络通信、安防设备等。
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