--- 产品参数 ---
- 工作温度 85
--- 产品详情 ---
IRFG9110 产品概述
IRFG9110 是由 International Rectifier(国际整流器)生产的一款高功率 N 沟道 MOSFET,属于 HEXFET 系列。这款器件专为高电压和高电流应用设计,具有优异的电气性能,广泛应用于电源管理、电机控制和其他高效能电子设备中。
产品技术资料
- 最大漏极电压 (V_DS):100V
- 最大漏极电流 (I_D):最大 50A
- 导通电阻 (R_DS(on)):0.045Ω(典型值)
- 门极阈值电压 (V_GS(th)):2V 至 4V
- 功耗 (P_D):150W
- 封装类型:TO-220
- 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
IRFG9110 的低导通电阻和高电流承载能力使其在高效能应用中表现卓越,能够有效降低功耗并提高系统效率。
产品应用
IRFG9110 MOSFET 广泛应用于以下领域:
- 电源管理:用于开关电源、DC-DC 转换器和电池管理系统,提供高效的电能转换。
- 电机控制:适用于无刷直流电机(BLDC)和步进电机的驱动,确保电机的平稳运行和快速响应。
- 逆变器:在太阳能逆变器和其他电力逆变器中提供可靠的开关,提升系统效率。
- 高频开关电路:用于各种高频开关应用,确保高效能和稳定性。
产品介绍
IRFG9110 作为一款高功率 N 沟道 MOSFET,其主要优势在于高电压承载能力和低导通电阻。它能够在高频率下稳定工作,确保在各种负载条件下的可靠性。IRFG9110 的设计旨在提供高效的开关性能,适合于多种电源转换和电机控制应用。
在电源管理应用中,IRFG9110 可与其他电路元件配合使用,提供高效的电源转换和管理解决方案。在电机控制应用中,其高电流承载能力确保了电机的平稳运行和快速响应。
总之,IRFG9110 是一款高效、可靠的 MOSFET,适用于多种高电压和高电流应用,能够有效解决功率开关中的各种问题,为现代电子产品的稳定运行提供支持。
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