--- 产品参数 ---
- 封装 TO220F封装
- 沟道 Single-N-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 2SK2996-VB MOSFET 产品简介
2SK2996-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),封装形式为 TO220F。该型号 MOSFET 具有较高的漏源电压和适中的导通电阻特性,适用于中功率电源管理和开关应用。
### 2SK2996-VB 详细参数说明
- **封装类型**:TO220F
- **配置**:单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**:650V
- **栅源电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:830mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:10A
- **技术类型**:Plannar
### 适用领域和模块的应用举例
2SK2996-VB MOSFET 具有较高的漏源电压和适中的导通电阻,适用于中功率应用。以下是一些具体应用领域和模块示例:
1. **工业电源**:在中功率工业电源中,该 MOSFET 可用于逆变器和变换器,提供稳定、高效的电能转换。
2. **UPS(不间断电源)**:在 UPS 中,该 MOSFET 可用于开关电源单元,确保电源供应的连续性和稳定性。
3. **电动车充电桩**:在电动车充电桩中,该 MOSFET 可用于功率开关器件,实现快速、高效的充电。
4. **太阳能逆变器**:在太阳能逆变器中,该 MOSFET 可用于直流-交流转换器,提供高效的太阳能电能利用。
5. **工业自动化**:在工业自动化设备中,用于控制中功率电动机和其他电气设备,提供稳定的电源和控制信号。
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