--- 产品参数 ---
- 封装 TO220F封装
- 沟道 Single-N沟道
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、2SK3264-01MR-VB 产品简介
2SK3264-01MR-VB 是一款高性能的单N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),封装形式为TO220F。这款MOSFET具有较高的漏源极电压和较低的漏源极电阻,适用于需要处理高电压和低导通电阻的应用场合。其采用了SJ_Multi-EPI技术,具有优异的电气性能和可靠性,适合在高压电源管理和开关电源等领域中使用。
### 二、2SK3264-01MR-VB 详细参数说明
- **封装类型**:TO220F
- **配置**:单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**:800V
- **栅源极电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:1100mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:5A
- **技术**:SJ_Multi-EPI
### 三、应用领域和模块说明
#### 应用领域
1. **高压电源管理**
- 2SK3264-01MR-VB 的高漏源极电压和低导通电阻使其非常适合用于高压电源管理,如工业电源和电力系统中的开关电源。
2. **电力传输和分配**
- 在电力传输和分配系统中,这款MOSFET可以用于控制和保护电路,确保电力系统的稳定运行。
3. **照明系统**
- 适用于高压照明系统,如LED驱动器和荧光灯电源,能够提供稳定的电流和电压控制。
4. **电动车充电器**
- 在电动车充电器中,2SK3264-01MR-VB 可以用于控制充电过程中的电流和电压,确保安全和高效的充电。
#### 应用模块
1. **开关电源模块**
- 在开关电源模块中,这款MOSFET可以用于控制开关管,实现高效率的能量转换。
2. **逆变器模块**
- 2SK3264-01MR-VB 可以用于逆变器模块中,将直流电转换为交流电,适用于太阳能逆变器和UPS系统等应用。
3. **电机驱动模块**
- 在工业和商业电机驱动系统中,这款MOSFET可以用于控制电机的速度和扭矩,提高系统的效率和响应性。
4. **电源管理模块**
- 在各种电源管理模块中,2SK3264-01MR-VB 可以用于稳压和开关控制,确保电源系统的稳定性和高效性。
通过以上的简介、参数说明以及应用举例,可以看到2SK3264-01MR-VB 在高压电源管理和开关电源等领域中的广泛应用,其高性能和可靠性使其成为电子设计中的重要组成部分。
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