### 产品简介
**型号**: 2SK3326-VB
**封装**: TO220
**配置**: 单N沟道MOSFET
**技术**: 平面型
2SK3326-VB是一款高性能N沟道功率MOSFET，具有高电压承受能力和低导通电阻，适用于各种开关电源和功率转换应用。这款MOSFET采用TO220封装，提供了良好的散热性能和机械稳定性，适合中功率应用。
### 产品参数
- **漏-源电压 (VDS)**: 500V
- **栅-源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.1V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 660mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 13A
- **技术**: 平面型
### 应用领域和模块示例
**1. 电源逆变器**
2SK3326-VB适用于各种电源逆变器，如太阳能逆变器和UPS系统。其高电压承受能力和低导通电阻使其能够高效地处理中功率应用，提供稳定的电源输出。
**2. 电动汽车充电桩**
在电动汽车充电桩中，2SK3326-VB可用于功率转换和控制模块。其高性能和可靠性有助于提高充电桩的效率和充电速度，满足电动汽车市场的需求。
**3. 工业电源系统**
在工业电源系统中，2SK3326-VB可用于各种电源管理和控制模块。其高电压承受能力和低导通电阻使其能够在恶劣的工业环境中稳定运行，确保工业设备的可靠性和性能。
**4. 高压直流电源**
2SK3326-VB适用于高压直流电源模块，如X射线发生器和粒子加速器。其高电压承受能力和低导通电阻使其能够在高电压环境下稳定运行，提供可靠的电源输出。
2SK3326-VB MOSFET适用于许多不同的应用领域，包括电源逆变器、电动汽车充电、工业电源系统和高压直流电源等，为这些领域提供高效能和可靠性的解决方案。
