--- 产品参数 ---
- 封装 TO220封装
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 2SK3925-01-VB MOSFET 产品简介
2SK3925-01-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO220 封装,适用于中高压应用。采用了 Trench 技术,具有较低的导通电阻和高的漏极电流承载能力,适用于需要高效能和高可靠性的功率管理应用。
### 2SK3925-01-VB MOSFET 详细参数说明
- **封装类型**: TO220
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 250V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 41mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 50A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
1. **电源转换器**: 2SK3925-01-VB 可以应用于各种中高压电源转换器中,如开关电源、DC-DC 转换器等,其高漏极电流和低导通电阻能够提高功率转换效率。
2. **电机驱动**: 在电机驱动模块中,这款 MOSFET 可以用于工业电机、电动汽车驱动器等,能够提供稳定的电流输出和高效的电能转换。
3. **逆变器**: 2SK3925-01-VB 可以用于太阳能逆变器、风力发电逆变器等系统,其高可靠性和高功率处理能力能够确保系统的稳定性和效率。
4. **电池管理系统**: 在电池管理系统中,2SK3925-01-VB 可以用于充放电控制模块,其高功率处理能力和低导通电阻确保了电池系统的高效充放电和稳定性。
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