--- 产品参数 ---
- 封装 TO220F封装
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**型号:2SK3926-01MR-VB**
2SK3926-01MR-VB 是一款由VBsemi公司生产的单N沟道MOSFET。其封装形式为TO220F,采用沟道技术,适用于中功率应用。该产品具有较低的导通电阻和适中的电流承载能力,适用于一些对功率要求不是特别高的场合。
### 详细参数说明
- **封装形式**:TO220F
- **配置**:单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:250V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:40mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:40A
- **技术**:沟道技术
### 应用领域和模块
2SK3926-01MR-VB 适用于以下领域和模块:
1. **电源管理**
- **中功率开关电源**:在一些中功率开关电源中,该MOSFET可用作开关器件,实现电能的高效转换和稳定输出。
2. **电机驱动**
- **中功率电机控制**:适用于一些中功率电机控制场合,如工业设备、家用电器等。
3. **逆变器**
- **太阳能逆变器**:用于太阳能发电系统中,将直流电转换为交流电。
- **UPS系统**:在UPS系统中,用作主要开关器件,保证电力输出的稳定和可靠。
4. **其他应用**
- **电路保护**:在一些需要对电路进行保护的场合,如过载保护、短路保护等。
2SK3926-01MR-VB具有适中的功率和导通电阻,适用于一些对功率要求不是特别高的场合,为电子设备提供稳定可靠的功率管理和控制。
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