### 2SK3993-ZK-E1-VB 产品简介
2SK3993-ZK-E1-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用TO-252封装，具有低导通电阻和高电流处理能力。其设计基于先进的沟槽技术，能够在较低栅极电压下提供优良的导通特性。适用于需要高电流处理能力和低导通电阻的电子应用。
### 2SK3993-ZK-E1-VB 详细参数说明
- **封装类型**：TO-252
- **配置**：单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**：20V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：0.5~1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：3.5mΩ @ VGS = 2.5V, 2.5mΩ @ VGS = 4.5V
- **漏极电流 (ID)**：120A
- **技术**：沟槽（Trench）
### 适用领域和模块举例
1. **电源管理**：2SK3993-ZK-E1-VB 可用于低电压电源管理中，例如手机充电器、便携式电子设备等，其低导通电阻和高电流处理能力有助于提高电源转换效率。
2. **马达驱动**：在马达驱动电路中，2SK3993-ZK-E1-VB 可用作马达控制开关，提供高效的电流控制能力。其高额定电流和低导通电阻确保了马达运行的稳定性和效率。
3. **汽车电子**：由于其低压漏源电压和高电流处理能力，2SK3993-ZK-E1-VB 适用于汽车电子领域，如电动汽车控制、车载充电器等，提供高效能的电子控制。
综上所述，2SK3993-ZK-E1-VB 是一款适用于低压高功率电子应用的MOSFET，具有优良的导通特性和稳定性，广泛应用于电源管理、马达驱动和汽车电子等领域。
