--- 产品参数 ---
- 封装 TO252
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、产品简介
4809NHG-VB是VBsemi公司推出的高性能N沟道MOSFET,采用TO252封装。它具有30V的漏源电压(VDS),适用于低压功率开关和电源管理应用,具备优秀的导通特性和可靠性。
### 二、详细参数说明
- **封装形式**:TO252
- **配置**:单N沟道(Single-N-Channel)
- **漏源电压(VDS)**:30V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **开启电压(Vth)**:1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- VGS=4.5V时:6mΩ
- VGS=10V时:5mΩ
- **漏极电流(ID)**:80A
- **技术类型**:沟槽(Trench)
### 三、应用领域及模块举例
4809NHG-VB MOSFET适用于以下领域和模块:
1. **电源开关**:
- 在低压电源开关电路中,如电源适配器、便携式电子设备和消费电子产品,4809NHG-VB可用于高效能和高频率的开关电源设计,提升能源利用率和设备性能。
2. **电动工具**:
- 在电动工具和家用电器中,如电动钻机、电动剪刀和厨房设备,4809NHG-VB可以作为电机驱动和电源管理的关键元件,确保设备的高效、稳定运行。
3. **汽车电子**:
- 在汽车电子系统中,如车载电源管理、照明控制和电动机控制单元(ECU),4809NHG-VB能够提供可靠的功率开关和电源保护功能,适应复杂的车辆电气系统需求。
4. **工业控制**:
- 在工业自动化和控制系统中,如PLC控制器、机器人控制和传感器接口,4809NHG-VB的低导通电阻和高电流承载能力使其成为高效能电子设备的理想选择。
5. **通信设备**:
- 在通信基站、网络设备和数据中心中,4809NHG-VB可以应用于高频率开关电源和功率逆变器,支持设备的稳定运行和电力转换效率。
通过采用4809NHG-VB MOSFET,设计工程师可以实现高性能、高效率的电源管理和开关控制解决方案,满足各种应用的功率需求和性能标准。
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