### 产品简介
4835M-VB 是一款单P-通道MOSFET，采用SOP8封装。它具有-30V的漏源电压（VDS），20V的栅源电压（VGS）（±），以及-1.7V的阈值电压（Vth）。该器件采用Trench技术制造，具有低导通电阻和高电流承受能力，在VGS为10V时的导通电阻（RDS(ON)）为18mΩ，在VGS为4.5V时为24mΩ。最大漏电流（ID）为-9A，适用于需要负载控制的应用场合。
### 详细参数说明
- **封装类型**：SOP8
- **配置**：单P-通道
- **漏源电压（VDS）**：-30V
- **栅源电压（VGS）**：20V（±）
- **阈值电压（Vth）**：-1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：24mΩ @ VGS=4.5V, 18mΩ @ VGS=10V
- **漏电流（ID）**：-9A
- **技术**：Trench
### 应用领域和模块
4835M-VB MOSFET适用于多种应用领域和模块，具体包括但不限于：
1. **电源管理**：
- 在电池保护电路中，用于负载开关和电流控制，例如移动设备和便携式电子产品的电池管理系统。
2. **电动工具**：
- 在需要反向电流控制的电动工具和电子设备中，作为高效率的开关元件，支持设备的电流控制和保护。
3. **信号处理**：
- 在信号放大和数据传输设备中，用于高速开关和精确的信号调节，确保数据传输的稳定性和可靠性。
4. **汽车电子**：
- 在汽车电子系统中的电动机驱动和电源管理中，能够处理负载开关和电流管理，提升车辆的电动系统性能和节能效率。
通过以上示例，可以看出4835M-VB在电源管理、电动工具、信号处理和汽车电子等多个领域中具有广泛的应用潜力，能够满足负载控制和电流管理的需求。
