--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8
- 沟道 Dual-P+P
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、产品简介
4913SS-VB是一款双P沟道MOSFET,采用SOP8封装。它设计用于低压功率开关和电源管理应用,具有-20V的漏源电压(VDS),适合于需要负载开关和高效能电源转换的应用场景。
### 二、详细参数说明
- **封装形式**:SOP8
- **配置**:双P沟道(Dual-P+P-Channel)
- **漏源电压(VDS)**:-20V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **开启电压(Vth)**:-1.2V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- VGS=4.5V时:18mΩ
- VGS=10V时:16mΩ
- **漏极电流(ID)**:-8.9A
- **技术类型**:沟槽(Trench)
### 三、应用领域及模块举例
4913SS-VB MOSFET适用于以下领域和模块:
1. **电池管理和充电器**:
- 在移动设备(如平板电脑、智能手机)和便携式电子产品中,4913SS-VB可用于电池保护电路和充电管理,支持快速充电和高效能的电池使用。
2. **低功耗电源**:
- 在低功耗电子设备中,如传感器节点、便携式医疗设备和智能家居系统,4913SS-VB用于电源开关和能量管理,提供长时间使用和低功耗操作。
3. **汽车电子**:
- 在车辆电子系统中,如车载LED灯控制、内部照明和小功率电动机驱动,4913SS-VB支持低电压和高效能的电气设计,提升车辆电子系统的性能和可靠性。
4. **工业控制**:
- 在工业自动化和机器人控制系统中,4913SS-VB用于逻辑级开关和电动机驱动器,支持高频率操作和精确的控制,满足工业设备的复杂运行需求。
5. **通信设备**:
- 在通信基站、网络设备和数据中心中,4913SS-VB用于功率开关和电源逆变器,确保设备的稳定运行和高效能的电力转换。
通过采用4913SS-VB MOSFET,设计工程师能够实现高效能、低功耗的电子电路设计,广泛应用于多种功率管理和控制应用领域。
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