### 一、产品简介
4961M-VB是一款双P沟道MOSFET，采用SOP8封装。它适用于低压功率开关和电源管理应用，具有-20V的漏源电压（VDS），适合需要高效能电源转换和负载开关的应用场景。
### 二、详细参数说明
- **封装形式**：SOP8
- **配置**：双P沟道（Dual-P+P-Channel）
- **漏源电压（VDS）**：-20V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **开启电压（Vth）**：-1.2V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：
- VGS=4.5V时：18mΩ
- VGS=10V时：16mΩ
- **漏极电流（ID）**：-8.9A
- **技术类型**：沟槽（Trench）
### 三、应用领域及模块举例
4961M-VB MOSFET适用于以下领域和模块：
1. **便携式电子设备**：
- 在智能手机、平板电脑等便携式电子设备中，4961M-VB用作电池管理和功率开关，支持设备的高效能和长续航时间。
2. **电源转换器**：
- 在低压直流-直流（DC-DC）转换器和功率逆变器中，4961M-VB可用于高效的电源转换和能量管理，提升系统的能效和稳定性。
3. **车辆电子**：
- 在汽车电子系统中，如车载照明、电动门控制和小功率马达驱动，4961M-VB支持电源开关和控制功能，适应车辆电子的高温和高电压环境要求。
4. **工业控制**：
- 在工业自动化和机器人控制系统中，4961M-VB用于逻辑级开关和电机控制，提供高效的电气性能和精确的系统控制能力。
5. **通信设备**：
- 在通信基站、网络设备和数据中心中，4961M-VB用于功率开关和稳压器，确保设备的可靠运行和高效的电力转换。
通过使用4961M-VB MOSFET，设计工程师能够实现多种应用场景下的高效能、高可靠性的电子电路设计，满足现代电子设备和系统对功率管理和控制的复杂需求。
