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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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4N60L-TA3-T-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 4N60L-TA3-T-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO220
  • 沟道 Single-N

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 4N60L-TA3-T-VB TO220 MOSFET 产品简介

4N60L-TA3-T-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用TO220封装。该器件具备高达650V的漏极电压(VDS)和±30V的栅极电压(VGS)额定值,阈值电压(Vth)为3.5V。采用Plannar技术,具有较高的导通电阻(RDS(ON)),在VGS为10V时为2200毫欧,能够提供最大4A的漏极电流(ID)。该器件设计用于高压应用,并具备较高的可靠性和稳定性。

### 4N60L-TA3-T-VB TO220 MOSFET 详细参数说明

| 参数      | 值                             |
|-----------|--------------------------------|
| 封装      | TO220                          |
| 配置      | 单N沟道                        |
| 漏极电压 (VDS) | 650V                          |
| 栅极电压 (VGS) | ±30V                          |
| 阈值电压 (Vth) | 3.5V                           |
| 导通电阻 (RDS(ON)) @ VGS=10V | 2200mΩ                        |
| 漏极电流 (ID) | 4A                             |
| 技术      | Plannar                        |

### 4N60L-TA3-T-VB TO220 MOSFET 的应用领域和模块举例

#### 应用领域
1. **电源逆变器**:适用于高压直流-交流转换器和太阳能逆变器,能够处理高电压和大功率转换需求。
2. **电动车充电桩**:用于电动车充电桩中的功率开关和控制模块,提供高效能量转换和稳定的电流输出。
3. **工业电源**:在工业自动化设备和机械中,用于高压电源管理和功率控制系统,确保稳定和可靠的电力供应。
4. **电源管理系统**:用于稳压器和开关模式电源中,提供高效的电能转换和电压调节。

#### 模块举例
1. **太阳能逆变器**:在太阳能发电系统的逆变器模块中,4N60L-TA3-T-VB 可以确保高效的能量转换和最大化能量输出。
2. **高压直流-直流转换器**:适用于通信基站和工业设备中的高压直流-直流转换模块,提供可靠的电力转换和管理。
3. **功率开关模块**:在各种功率开关系统中,提供稳定的开关和高效的能量转换,适用于电力电子设备和电力传输系统。
4. **电动汽车充电设备**:4N60L-TA3-T-VB 可用于电动车充电设备的功率开关和控制模块,实现高效的电池充电和管理。

通过其高电压额定值和稳定的性能,4N60L-TA3-T-VB TO220 MOSFET 是适用于多种高压和功率应用的理想选择,能够满足复杂电力电子系统的需求,提供可靠的电力管理和控制。

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