--- 产品参数 ---
- 封装 TO263封装
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 4N0403D-VB MOSFET 产品简介
4N0403D-VB 是一款单N沟道(Single-N-Channel)MOSFET,采用了Trench技术,封装为TO263。它具有低导通电阻、高电流承载能力和高压耐受性,适合要求高性能和高可靠性的电子应用。
### 4N0403D-VB MOSFET 详细参数说明
| 参数 | 值 |
|------------|---------------------------|
| 封装 | TO263 |
| 配置 | Single-N-Channel |
| VDS | 40V |
| VGS | 20V(±V) |
| Vth | 3V |
| RDS(ON) | 2.5mΩ @ VGS=4.5V |
| | 2mΩ @ VGS=10V |
| ID | 150A |
| 技术 | Trench |
### 4N0403D-VB MOSFET 适用领域和模块应用举例
4N0403D-VB MOSFET 可以在以下领域和模块中得到应用:
1. **电源管理和功率转换**
- 由于其低导通电阻和高电流承载能力,4N0403D-VB 可以用于电源管理单元、直流-直流转换器(DC-DC converters)和直流-交流逆变器(DC-AC inverters),提供高效能转换和稳定的电力输出。
2. **电动工具和电动车辆**
- 在需要高功率输出和快速响应的电动工具和电动车辆中,4N0403D-VB 可以作为电动机驱动器、电动车辆充电器的功率开关,确保系统性能和能量效率。
3. **工业自动化和高性能电子设备**
- 在工业自动化控制系统、机器人控制和高性能电子设备中,4N0403D-VB 可以用于高功率电源管理、电动机控制和机器人运动控制,提供可靠的动力输出和系统稳定性。
4. **电池管理系统**
- 在电池管理系统中,特别是需要处理高电流和高压的应用,如电动汽车电池管理和储能系统,4N0403D-VB 可以提供有效的电池充放电管理和保护功能。
综上所述,4N0403D-VB MOSFET 适用于需要高功率密度、高效率转换和可靠性的广泛电子和电力应用场合。
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