4N0404-VB TO252一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 4N0404-VB MOSFET产品简介

4N0404-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO252封装，由VBsemi公司生产。它具有高漏源电压和低导通电阻特性，适用于高电流应用和需要低功率损耗的场合。

### 4N0404-VB MOSFET详细参数说明

- **封装形式**：TO252
- **配置**：单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**：40V
- **栅源电压 (VGS)**：20V（±V）
- **阈值电压 (Vth)**：2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
 - VGS = 4.5V：6mΩ
 - VGS = 10V：5mΩ
- **漏极电流 (ID)**：85A
- **技术**：Trench

### 4N0404-VB MOSFET应用领域和模块示例

1. **电动车辆**：
  - **电动汽车和混合动力车辆**：用于电动汽车的电机控制单元和电池管理系统，提供高效的电能转换和动力输出。

2. **电源管理**：
  - **开关电源**：适用于高效率的DC-DC转换器和AC-DC电源适配器，确保稳定的电能转换和输出。

3. **工业控制**：
  - **工业自动化设备**：在自动化设备和机器人控制系统中，用于电源管理和电流控制，提升设备的运行效率和稳定性。

4. **通信设备**：
  - **功率放大器**：在通信基站和网络设备中，作为功率放大器的开关器件，确保设备的稳定运行和高效的信号处理能力。

4N0404-VB适用于需要高电流处理和低功率损耗的各种应用场合，其高性能和可靠性使其成为电子设备中重要的功率开关元件。