--- 产品参数 ---
- 封装 TO262封装
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、产品简介
4N0404-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO262封装,适用于高功率和高效能应用。该器件具有60V的漏源电压(VDS),极低的导通电阻和高达75A的漏极电流(ID),特别适合需要处理大电流和低压降的电源管理和功率开关应用。
### 二、详细参数说明
- **封装形式**:TO262
- **配置**:单N沟道(Single-N-Channel)
- **漏源电压(VDS)**:60V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **开启电压(Vth)**:2V
- **导通电阻(RDS(ON))**:5.7mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**:75A
- **技术类型**:沟槽(Trench)
### 三、应用领域及模块举例
4N0404-VB MOSFET适用于以下领域和模块:
1. **电动工具**:
- 在高功率电动工具(如电动锤、电动锯等)的电机驱动系统中,用作功率开关,支持高效能的电能转换和大电流输出。
2. **电动车辆**:
- 在电动汽车、电动自行车等电动交通工具的电动驱动系统中,用于电机控制和电池管理,提供高功率密度和长时间驱动能力。
3. **电源逆变器**:
- 在太阳能逆变器和其他可再生能源逆变器中,用作开关管件,实现电能的转换和输出,提高能源的利用效率和稳定性。
4. **工业自动化**:
- 用于工业自动化设备中的电机控制和电源管理,支持高速运动控制和精确的能量调节,如自动化生产线、机器人系统等。
5. **电源管理**:
- 在高效率的开关电源供应单元中,4N0404-VB可用作功率开关,提供稳定的电压输出和高效的电能转换,适用于服务器、通信设备等领域。
通过其低导通电阻、高电流承载能力和稳定的性能特点,4N0404-VB适合需要高功率密度和可靠性的各种电源和功率控制应用。
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