### 一、产品简介
**4N90L-TA3-T-VB**
4N90L-TA3-T-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用TO220封装。它具有高电压耐受能力和稳定的性能特性，适用于需要处理高电压和低功率损耗的应用场合。采用SJ_Multi-EPI技术制造，确保了良好的可靠性和长期稳定性。
### 二、详细参数说明
- **封装类型**：TO220
- **配置**：单N沟道
- **漏源极电压（VDS）**：900V
- **栅源极电压（VGS）**：±30V
- **阈值电压（Vth）**：3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：1500mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流（ID）**：5A
- **技术**：SJ_Multi-EPI
### 三、应用领域和模块举例
**4N90L-TA3-T-VB** MOSFET适用于多种领域和模块，以下是几个具体的示例：
1. **工业电源**：在高压工业电源和电力传输系统中，4N90L-TA3-T-VB可以用于开关电源和电压调节器，保证系统的稳定性和高效能。
2. **电动车充电器**：在电动车充电器中，4N90L-TA3-T-VB能够处理高电压转换和高效率能源转换，确保电动车快速安全充电。
3. **太阳能逆变器**：在太阳能发电系统中，4N90L-TA3-T-VB用作逆变器的关键部件，帮助将太阳能转换为可用的电能，提高系统效率和可靠性。
4. **工业自动化**：用于工业自动化控制系统中的电机驱动和开关电源模块，确保设备的精确控制和高效能运行。
综上所述，**4N90L-TA3-T-VB** MOSFET因其高电压承受能力、稳定的性能特性和广泛的应用场景，适合于对功率处理和电压控制要求严格的高性能电子系统设计。
