--- 产品参数 ---
- 封装 TO220F
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 4N65KL-TF3-T-VB TO220F MOSFET 产品简介
4N65KL-TF3-T-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用 TO220F 封装。它具有高电压耐受能力和适中的电流处理能力,适合于中功率应用场合。
### 4N65KL-TF3-T-VB TO220F MOSFET 详细参数说明
- **封装形式**: TO220F
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 650V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 2560mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 4A
- **技术**: Plannar
### 应用领域和模块示例
#### 电源逆变器
由于其高电压耐受能力和适中的电流处理能力,4N65KL-TF3-T-VB 在电源逆变器中能够提供可靠的功率转换和稳定的输出电压。它适用于工业电源、太阳能逆变器和电动汽车充电器等领域。
#### 高压电源管理
在需要高电压处理和稳定性能的电源管理系统中,如工业自动化设备和高压电源模块,4N65KL-TF3-T-VB 可以作为关键元件,确保系统的可靠性和效率。
#### 电动车辆充电器
在电动汽车和混合动力车辆的充电器中,4N65KL-TF3-T-VB 可以承受高电压和提供高效能的功率转换。它能够在高功率充电和快速充电场景下表现出色。
#### 工业高压开关控制
在工业控制和电力分配系统中,需要能够快速开关和稳定操作的元件。4N65KL-TF3-T-VB 的高电压耐受能力和可靠性使其成为这些应用中的理想选择。
通过以上示例,可以看出 4N65KL-TF3-T-VB 是一款适用于中高电压应用的 MOSFET,特别适合要求高电压处理和可靠性能的各种电子设备和系统。
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