### 产品简介
**型号：4N65Z-VB**
**封装：TO220F**
**配置：单N沟道**
4N65Z-VB是一款高压单N沟道MOSFET，采用平面技术制造，专为在高电压环境下提供稳定的电能控制和转换而设计。该器件具有优良的性能特性，适用于多种需要高电压和中等电流处理的应用场景。
### 详细参数说明
- **封装类型**：TO220F
- **配置**：单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**：650V
- **栅源极电压 (VGS)**：30V（±）
- **阈值电压 (Vth)**：3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：2560mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：4A
- **技术类型**：平面（Plannar）
### 应用领域和模块
4N65Z-VB MOSFET适用于多种需要高压和中等电流处理的应用场景：
1. **电源管理**：
- **开关电源 (SMPS)**：用于电视机、显示器等电源模块中，提供稳定的高压输出。
- **电源适配器**：在笔记本电脑、服务器等设备的电源管理中，保证电能转换的高效和稳定性。
2. **照明控制**：
- **室内和室外照明**：在城市照明、道路照明等项目中，用于LED驱动电路中控制电流和功率因素。
3. **工业自动化**：
- **工业电机驱动**：在工业设备中控制电机启停和转速，提高生产线的效率和精确度。
- **高压电源模块**：用于PLC控制系统中的电源模块，保证设备稳定运行和数据准确性。
4. **电动车辆充电**：
- **电动汽车充电桩**：作为充电桩中电力转换和电池管理的关键组件，确保安全和高效的充电过程。
4N65Z-VB MOSFET通过其高压能力和适中的电流特性，能够满足上述多种应用场景对于高效电能控制和转换的需求，是电力电子领域中的重要选择。
