### 4P04L03-VB TO263 MOSFET 产品简介
4P04L03-VB 是一款单 P 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用 TO263 封装。它具有负漏极-源极电压（-40V）和高电流处理能力，适合于负电压应用场合。
### 4P04L03-VB TO263 MOSFET 详细参数说明
- **封装形式**: TO263
- **配置**: 单 P 沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: -40V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 8.28mΩ @ VGS = 4.5V
- 4.1mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: -110A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块示例
#### 负电源管理
由于其负漏极-源极电压特性，4P04L03-VB 可以用于需要负电源管理的应用，如负电压调节器、负电压开关电源和负电压稳压模块。它能够稳定管理负电压输出并提供高效能的电源转换。
#### 电池保护电路
在电池管理系统中，特别是对于负电池端的保护和管理，4P04L03-VB 可以作为电池保护电路中的开关元件。它能够控制电池充放电过程，保护电池免受过电流和过压的损害。
#### 汽车电子系统
在汽车电子系统中，有时需要处理负电压电路，如汽车发电机的负载管理和电池管理单元。4P04L03-VB 可以应用于这些系统中，确保电路的稳定性和高效能。
#### 工业控制和电机驱动
在需要负电压控制和高电流开关的工业控制和电机驱动应用中，4P04L03-VB 可以提供可靠的开关性能和高效的电路保护，确保设备的安全和稳定运行。
通过以上示例，可以看出 4P04L03-VB 是一款适用于负电压管理和高电流开关的 MOSFET，特别适合要求负电压处理和稳定性能的各种电子设备和系统。
