--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23-6
- 沟道 Dual-N+N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
57STS8205A-VB是一款双N沟道加N沟道MOSFET,采用SOT23-6封装,具有优秀的功率特性和高效的电流处理能力,适用于各种电子设备和电路设计。
### 详细参数说明
- **型号:57STS8205A-VB**
- **封装类型:SOT23-6**
- **配置:双N+N沟道**
- **漏源电压 (VDS):20V**
- **栅源电压 (VGS):±20V**
- **阈值电压 (Vth):0.5~1.5V**
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 28mΩ @ VGS=2.5V
- 24mΩ @ VGS=4.5V
- **漏极电流 (ID):6A**
- **技术:Trench**
### 应用领域和模块举例
57STS8205A-VB适用于以下几个领域和模块:
1. **电源管理模块**:用于设计低压降的高效率电源管理模块,例如便携式电子设备、无线通信设备和消费电子产品中的电源开关。
2. **电池管理系统**:作为电池保护模块中的功率开关,确保在电池充电和放电过程中的高效能转换和电流控制。
3. **电动工具**:在电动工具的电机控制电路中,如电动钻、电动锤等,提供高效率和稳定的电机驱动能力。
4. **LED驱动器**:用作LED照明系统中的功率开关,例如室内照明、汽车照明和工业照明中的LED驱动器,确保LED的高效运行和长寿命。
通过以上应用示例,可以看出57STS8205A-VB具有广泛的应用潜力,特别适用于需要高功率密度、高效率和稳定性的电子系统和设备。
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