--- 产品参数 ---
- 封装 TO220
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**600N25N-VB TO220**是一款高性能单N沟道功率MOSFET,设计用于中电压和高电流应用。采用TO220封装,具有优秀的功率处理能力和低导通电阻,适用于各种功率电子系统和控制应用。
### 详细参数说明
- **型号**: 600N25N-VB
- **封装**: TO220
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 250V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 41mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 50A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块示例
**600N25N-VB TO220**适用于以下多个领域和模块,以提供稳定和高效的功率控制:
1. **电机驱动**:
- 在工业和家用电机驱动系统中,需要能够承受高电流和提供可靠的功率开关的器件。这款MOSFET可用于电机驱动器中的功率开关部分,以确保电机的高效运行和响应速度。
2. **电源管理**:
- 在电源管理系统中,需要能够快速开关和调节电压的功率开关器件。600N25N-VB的低导通电阻和高电流承受能力使其适用于电源开关和调节电路,提高系统的效率和稳定性。
3. **汽车电子**:
- 在汽车电子系统中,需要能够处理高电流和高温环境的功率器件。这款MOSFET可用于汽车电子控制单元(ECU)中的电动马达控制、照明系统以及电源管理系统,提高汽车电子系统的性能和可靠性。
4. **电源适配器**:
- 小型电子设备如笔记本电脑电源适配器需要紧凑型和高效率的电源管理电路。600N25N-VB可用于电源适配器中的功率开关部分,以提供高效的电能转换和稳定的电源输出。
5. **工业控制**:
- 在工业自动化和控制系统中,需要能够承受高压和高电流的功率开关器件。这款MOSFET可用于工业控制系统中的高压开关电路,确保设备的稳定运行和高效能量转换。
通过以上示例,可以看出600N25N-VB TO220 MOSFET在多个领域和应用模块中的广泛适用性,为电子工程师和系统设计者提供了可靠和高效的功率开关解决方案。
为你推荐
-
64CN10N-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-16 13:44
产品型号:64CN10N-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
6416NALG-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-16 13:43
产品型号:6416NALG-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
6416ANG-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-16 13:42
产品型号:6416ANG-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
6415NALG-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-16 13:40
产品型号:6415NALG-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
6415ANG-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-16 11:50
产品型号:6415ANG-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
6415AN LG-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-16 11:43
产品型号:6415AN LG-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
6414ANG-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-16 11:41
产品型号:6414ANG-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
638Z-VB一款Single-P沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-16 11:40
产品型号:638Z-VB 封装:SOT23-6 沟道:Single-P -
630GP-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-16 11:29
产品型号:630GP-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
62YW-VB一款Dual-N+N沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-16 11:28
产品型号:62YW-VB 封装:SOT23-6 沟道:Dual-N+N