--- 产品参数 ---
- 封装 TO252
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 65E6380-VB MOSFET 产品简介
65E6380-VB是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO252封装。由VBsemi采用SJ_Multi-EPI技术制造,具有高电压承载能力和低导通电阻,非常适合中等功率的高效电力电子应用。
### 详细参数说明
- **型号**: 65E6380-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 700V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±30V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 390mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 11A
- **技术**: SJ_Multi-EPI
### 应用领域和模块实例
1. **电力供应和配电系统**: 65E6380-VB MOSFET适用于高压电力供应和配电系统中的开关控制和保护装置,提供可靠的高电压操作和保护,确保电力系统的稳定性和安全性。
2. **太阳能逆变器**: 在太阳能发电系统中,该MOSFET用于逆变器模块,将太阳能板产生的直流电转换为交流电,供电网或家用设备使用,提升系统的转换效率和稳定性。
3. **工业自动化设备**: 适用于工业自动化设备的电源管理和控制系统中,如可编程逻辑控制器(PLC)和工业机器人,通过提供稳定的电压和电流,提升设备的可靠性和操作效率。
4. **电动车充电设备**: 在电动车充电桩和车载充电器中,65E6380-VB MOSFET用于高效的电源开关和电池管理系统,支持快速充电和高效能量转换,确保安全和高效的充电过程。
5. **家用电器和电动工具**: 用于高性能家用电器(如洗衣机、空调)和电动工具(如电钻、电锯)的电源控制和电机驱动,提供高效的电能转换和功率管理,延长设备寿命并降低能耗。
65E6380-VB MOSFET因其高电压承载能力、低导通电阻和广泛的应用场景,成为设计高效能和可靠性电子系统的理想选择。
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