--- 产品参数 ---
- 封装 TO220
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、80N20M5-VB 产品简介
80N20M5-VB 是一款由 VBsemi 公司生产的单 N 沟道 MOSFET,采用 TO220 封装。它设计用于中压高电流的应用环境,具有低导通电阻和高电流承载能力,适合于功率开关和电源管理应用。
### 二、80N20M5-VB 详细参数说明
- **封装类型 (Package)**: TO220
- **配置 (Configuration)**: 单 N 沟道 (Single N-Channel)
- **漏源极电压 (VDS)**: 200V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 4V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 17mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID)**: 80A
- **技术 (Technology)**: Trench
### 三、适用领域和模块举例
80N20M5-VB MOSFET 可以广泛应用于以下领域和模块:
1. **电动车辆**:用于电动车辆的电池管理系统和电机控制模块,能够处理中等电压和高电流需求,确保车辆的高效运行和安全性能。
2. **工业电源**:适用于工业设备中的电源管理和功率开关,如工控机、自动化设备中的电机驱动和电源逆变器。
3. **电力供应**:在直流至交流逆变器和电网连接器中,用于处理中等电压和高电流的电力转换和分配任务。
4. **电源模块**:用作中等电压直流-直流变换器中的功率开关,以及各类电源模块中的关键组件。
5. **医疗设备**:在医疗成像设备和电子治疗设备中,作为功率管理和电源控制的一部分,确保设备的稳定性和可靠性。
综上所述,80N20M5-VB 是一款适用于中压和高电流应用的高性能单 N 沟道 MOSFET,特别适合于需要处理大电流和低导通电阻的功率开关和电源管理领域。
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