### 1. 产品简介
6982M-VB 是一款双N+N沟道场效应晶体管（MOSFET），采用Trench技术制造，适合需要高性能功率开关解决方案的应用场合。
### 2. 详细参数说明
- **型号**: 6982M-VB
- **封装**: SOP8
- **沟道类型**: 双N+N沟道
- **漏极-源极电压（VDS）**: 30V
- **栅极-源极电压（VGS）**: ±20V
- **门阈电压（Vth）**: 1.7V
- **导通电阻（RDS(ON))**:
- 20mΩ @ VGS = 4.5V
- 16mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流（ID）**: 8.5A
- **技术**: Trench
### 3. 应用示例
6982M-VB 在以下领域和模块中具有广泛的应用：
- **电源管理**: 在电源转换器和稳压器中，6982M-VB 可以用作功率开关，支持高效率和低热耗的电能转换，适用于便携式设备和电池供电系统。
- **电动工具**: 在需要高性能电机驱动和电源管理的电动工具中，6982M-VB 可以提供快速开关和低损耗，确保工具的高效运行和长寿命。
- **汽车电子**: 在汽车电子系统中，例如电池管理、电动汽车充电桩控制等，6982M-VB 可以用于高频开关电路，提供可靠的功率控制和电流保护。
6982M-VB 的双N+N沟道设计和低导通电阻特性使其适用于对效率和可靠性要求高的应用场合，能够有效地提升系统的性能和稳定性。
